详情

原文传递一种暴露半导体氧化层的方法

专利名称：	一种暴露半导体氧化层的方法
摘要：	本发明涉及一种暴露半导体氧化层的方法，该方法包括：提供半导体样品，所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层；用超声波振荡去除所述半导体多晶层，暴露出所述氧化层。本发明可避免损伤半导氧化层。
专利类型：	发明专利
申请人：	张家港意发功率半导体有限公司
发明人：	周炳;江秉闰;付国振
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T00:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T17:00:00+0805
申请号：	CN201911349359.9
公开号：	CN111024473A
代理机构：	苏州国诚专利代理有限公司
代理人：	王丽
分类号：	G01N1/32;G;G01;G01N;G01N1;G01N1/32
申请人地址：	215600 江苏省苏州市张家港经济开发区(国泰北路1号留学生创业园)
主权项：	1.一种暴露半导体氧化层的方法，其特征在于，该方法包括：提供半导体样品，所述半导体样品从下至上依次包括半导体衬底、氧化层和半导体多晶层；用超声波振荡去除所述半导体多晶层，暴露出所述氧化层。 2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述氧化层为二氧化硅层，所述半导体多晶层为多晶硅层。 3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体样品为电容元件或电阻元件。 4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超声波振荡的时间为10～20秒。
所属类别：	发明专利