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原文传递一种太赫兹波段超材料传感器

专利名称：	一种太赫兹波段超材料传感器
摘要：	本发明请求保护一种太赫兹波段超材料传感器。该传感器包括介质层和介质层上依附的亚波长金属阵列的超材料，亚波长金属阵列单元由圆形谐振环和金属条组成，圆形谐振环的斜对称方向设有四个大小相同的开口，金属条位于谐振环中且相对于谐振环中心向上平移1μm，形成在x方向的非对称结构。通过结构的非对称性的引入，实现了类EIT效应，提高了器件的Q值和传感性能。该传感器利用透射率谱中类EIT效应产生的尖锐透射峰频率在单位折射率变化内平移的量来衡量传感器的灵敏度，实现了400GHz‑900GHz频率范围内的高灵敏的折射率传感。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	重庆;50
申请人：	重庆邮电大学
发明人：	潘武;闫彦君;沈大俊
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810205832.5
公开号：	CN108414473A
代理机构：	重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102
代理人：	刘小红;陈栋梁
分类号：	G01N21/41(2006.01)I;G01N21/01(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/41;G01N21/01
申请人地址：	400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号
主权项：	1.一种太赫兹波段超材料传感器，包括介质层，其特征在于，还包括附在所述介质层上的亚波长金属阵列，利用其谐振模式对折射率变化较为敏感的特性，将它用于对折射率的传感；所述亚波长金属阵列包含多个谐振环(1)和金属条(2)组成的结构单元，所述谐振环(1)用于在太赫兹波激励下实现谐振，金属条(2)用于引入结构的非对称性，实现类EIT效应，所述每个谐振环(1)为圆弧，多个谐振环(1)整体组合成为一个圆形谐振环，且在谐振环的斜对称方向设有若干个大小相同的开口，金属条(2)位于谐振环(1)中且相对于谐振环的中心上方位置处。
所属类别：	发明专利