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一种基于类电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器
| 专利名称： | 一种基于类电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器 |
| 摘要： | 本发明请求保护一种基于电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器。该传感器包括介质层和其上的亚波长金属阵列的超材料，亚波长金属阵列由多个由开口圆形谐振环和开口方形谐振环组合而成。在太赫兹波激励下，单独的开口圆形谐振环和开口方形谐振环分别表现为“亮”模式和“暗模式”；当两谐振环组合，两间距为80.0‑85.0μm时，亮暗模相互耦合，产生破坏性干涉，实现了类EIT效应，在谐振点附近产生了尖锐的透射峰。该传感器利用透射率谱中类EIT效应产生的尖锐透射峰频率在单位折射率变化内平移的量来衡量传感器的灵敏度，实现了400GHz‑800GHz频率范围内的折射率传感功能。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 重庆;50 |
| 申请人： | 重庆邮电大学 |
| 发明人： | 潘武;闫彦君;沈大俊 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810472596.3 |
| 公开号： | CN108572162A |
| 代理机构： | 重庆市恒信知识产权代理有限公司 50102 |
| 代理人： | 刘小红;陈栋梁 |
| 分类号： | G01N21/45(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/45 |
| 申请人地址： | 400065 重庆市南岸区南山街道崇文路2号 |
| 主权项： | 1.一种基于类电磁诱导透明效应的太赫兹波段超材料传感器，包括：介质层，其特征在于，所述介质层上还依附设置有亚波长金属阵列的超材料层，所述亚波长金属阵列包含多个开口圆形谐振环(1)和开口方形谐振环(2)组成的谐振结构单元，通过谐振结构单元产生的类EIT峰的平移量来衡量传感器的灵敏度。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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