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原文传递一种太赫兹波段超材料传感器

专利名称：	一种太赫兹波段超材料传感器
摘要：	本实用新型提出一种太赫兹波段超材料传感器，该传感器包括介质层和附着在所述介质层上的亚波长金属谐振环阵列；其中，所述亚波长金属谐振环阵列包含至少4个谐振环单元，每个所述谐振环单元均包括一四边开口的方形开口谐振环和置于所述方形开口谐振环内的方形谐振环；所述方形开口谐振环与所述方形谐振环均可在太赫兹波激励下实现谐振。本实用新型所述的太赫兹波段超材料传感器基本谐振环单元结构中的方形开口谐振环和方形谐振环采用嵌套设计，结构简单、性能优越，便于批量制造并且实验结束后方便清洗，满足传感器设计过程中对性价比的需求。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	广西;45
申请人：	桂林电子科技大学
发明人：	陈涛;张大鹏;张活;殷贤华;许川佩
专利状态：	有效
申请日期：	2018-11-12T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-25T00:00:00+0800
申请号：	CN201821854664.4
公开号：	CN209027990U
代理机构：	北京中济纬天专利代理有限公司
代理人：	石燕妮
分类号：	G01N21/3586(2014.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	541004 广西壮族自治区桂林市七星区金鸡路1号
主权项：	1.一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，该传感器包括介质层和附着在所述介质层上的亚波长金属谐振环阵列；其中，所述亚波长金属谐振环阵列包含至少4个谐振环单元，每个所述谐振环单元均包括四边开口的方形开口谐振环和置于所述方形开口谐振环内的方形谐振环；所述方形开口谐振环与所述方形谐振环均可在太赫兹波激励下实现谐振。 2.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述方形开口谐振环为一中心对称但轴不对称的四开口谐振环。 3.根据权利要求2所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述四开口谐振环的每条边具有一长边和一短边，每条边的长边相等，每条边的短边相等；所述四开口谐振环的每条边的长边与相邻边的短边连接。 4.根据权利要求1所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述介质层材料为高阻硅、聚酰亚胺、石英晶体中的一种，厚度为50-100μm。 5.根据权利要求4所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述介质层材料为聚酰亚胺，厚度为65μm。 6.根据权利要求4所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述亚波长金属谐振环阵列的材料为金、银、铜中的一种，厚度为0.2-0.4μm。 7.根据权利要求6所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述亚波长金属谐振环阵列的材料为金，厚度为0.2μm。 8.根据权利要求7所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述亚波长金属谐振环阵列中相邻两个谐振环单元之间的间距为10μm。 9.根据权利要求8所述的一种太赫兹波段超材料传感器，其特征在于，所述方形开口谐振环的外边长a为84μm，环宽c为9μm；所述方形谐振环的外边长b为56μm，环宽d为7μm；所述开口大小e为6μm，开口处偏离中心位置的距离f为10μm。
所属类别：	实用新型