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一种基于环境调节的硅材料测试仪智能调控方法
| 专利名称： | 一种基于环境调节的硅材料测试仪智能调控方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于环境调节的硅材料测试仪智能调控方法：S1、设置m个实际温度和实际湿度均不相同的测试区域；S2、将每一个测试区域划分为电磁场强值互不相同的n个测试子区域；S3、基于m×n个测试子区域内测试仪的k次测试耗费时间和测试结果计算出m×n个测试子区域内测试仪的测试效率和测试精度；S4、提取出目标测试子区域，并将目标测试子区域的实际温度、实际湿度、实际电磁场强值一一对应并将其标定为最佳测试环境。本发明通过分析测试环境的温度值、湿度值和电磁场强值，以期寻找到温度值、湿度值和电磁场强值三者间的动态均衡，为硅材料测试仪的使用环境提供稳定有效地参考依据。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 安徽;34 |
| 申请人： | 安徽舟港新能源科技有限公司 |
| 发明人： | 王韶平 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810659381.2 |
| 公开号： | CN108426981A |
| 代理机构： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 |
| 代理人： | 傅磊 |
| 分类号： | G01N33/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N33;G01N33/00 |
| 申请人地址： | 246500 安徽省安庆市宿松县孚玉镇西畴北街8号 |
| 主权项： | 1.一种基于环境调节的硅材料测试仪智能调控方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、按照预设温度范围和预设湿度范围设置m个实际温度和实际湿度均不相同的测试区域；S2、将每一个测试区域划分为n个测试子区域，并按照预设电磁场强范围为每一个测试区域内的n个测试子区域设置n个互不相同的电磁场强值；S3、分别获取m×n个测试子区域内测试仪的k次测试耗费时间和测试结果，并分别基于上述k次测试耗费时间和测试结果计算出m×n个测试子区域内测试仪的测试效率和测试精度；S4、根据m×n个测试子区域内测试仪的测试效率和测试精度提取出目标测试子区域，并将目标测试子区域的实际温度、实际湿度、实际电磁场强值一一对应并将其标定为最佳测试环境。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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