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原文传递一种调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法

专利名称：	一种调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法
摘要：	本发明公开了一种调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法。具体通过硅烷偶联剂、酸酐类试剂使硅纳米粒子的表面改性，改变硅纳米粒子的表面电性，进一步调控纳米材料表面物理吸附的HCG抗体的取向。本发明的方法抗体取向可调控，结合量可调控，反应条件温和，操作简单，成本低，可以应用于酶联免疫法中抗原抗体的检测。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	辽宁;21
申请人：	大连理工大学
发明人：	何炜;刘文豪;程昉;祝传磊
专利状态：	有效
申请日期：	2019-07-18T00:00:00+0800
发布日期：	2019-09-10T00:00:00+0800
申请号：	CN201910649147.6
公开号：	CN110221059A
代理机构：	大连东方专利代理有限责任公司
代理人：	房艳萍;李馨
分类号：	G01N33/535(2006.01);G;G01;G01N;G01N33
申请人地址：	116024 辽宁省大连市高新园区凌工路2号
主权项：	1.一种调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，其特征在于，所述的方法是通过硅烷偶联剂、酸酐类试剂对硅纳米材料进行表面改性，制备表面改性的硅纳米材料，再将HCG抗体通过物理吸附固定在经过表面改性的硅纳米材料表面。 2.根据权利要求1所述的调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，所述的制备表面改性的硅纳米材料的方法为：在硅纳米材料的醇类溶液中，加入硅烷偶联剂，在10-50℃条件下反应1-24h，制备氨基表面改性的硅纳米材料；再将氨基表面改性的硅纳米材料溶于非质子性溶剂中，加入酸酐类试剂，在10-50℃条件下反应1-24h，制备羧基表面改性的硅纳米材料。 3.根据权利要求1或2所述的调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，其特征在于，所述的硅烷偶联剂为氨基硅烷偶联剂选自3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-氨丙基二乙氧基甲基硅烷、3-(二甲基乙氧基硅基)正丙烷。 4.根据权利要求1或2所述的调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，其特征在于，所述酸酐类试剂选自丁二酸酐、马来酸酐。 5.根据权利要求1所述的调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，其特征在于，所述的硅纳米材料的粒径为50～500nm。 6.根据权利要求1所述的调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂的浓度为0.1-1mg/mL。 7.根据权利要求1所述的调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，其特征在于，所述非质子性溶剂选自N,N-二甲基甲酰胺、乙醇、乙腈、丙酮、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜、四氢呋喃、二噁烷、二氯甲烷和氯仿。 8.根据权利要求1所述的调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，其特征在于，所述的将HCG抗体通过物理吸附固定在经过表面改性的硅纳米材料表面的方法为：将经过表面改性的硅纳米材料在缓冲溶液中10-50℃条件下孵育HCG抗体1-20h。 9.根据权利要求1或8所述的调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，其特征在于，孵育HCG抗体的缓冲溶液为MES缓冲溶液，pH为4-8。 10.根据权利要求1或8所述的调控硅纳米材料表面HCG抗体取向的方法，其特征在于，所述HCG抗体的浓度为0.1-1mg/ml。
所属类别：	发明专利