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原文传递一种有机光电材料分子取向的表征方法

专利名称：	一种有机光电材料分子取向的表征方法
摘要：	本发明公开了一种有机光电材料分子取向的表征方法，通过建立待测样品的光学模型，根据光学模型中各层薄膜的特征矩阵建立待测样品的薄膜传输矩阵；通过构建待测样品材料的介电函数模型并对其进行参数化以获取待测样品的光学常数，根据光学常数和薄膜传输矩阵计算得到待测样品的理论穆勒矩阵光谱并通过迭代算法将理论穆勒矩阵光谱和测量穆勒矩阵光谱拟合，提取出样品的消光系数，根据构建的待测样品的分子取向与消光系数之间的关系模型计算得到待测样品的分子取向；本发明通过建立一种通用的分析方法对通过穆勒矩阵椭偏仪测量获得的4×4阶穆勒矩阵进行计算分析以获得光电材料的分子取向，适用于有机光电器件中有机分子取向度的快速准确标定。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	湖北;42
申请人：	武汉颐光科技有限公司
发明人：	刘世元;谷洪刚;张传雄;牛茂刚
专利状态：	有效
发布日期：	2019-01-01T00:00:00+0800
申请号：	CN201810273081.0
公开号：	CN108535198A
代理机构：	武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224
代理人：	方可
分类号：	G01N21/25(2006.01)I;G01N21/31(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/25;G01N21/31
申请人地址：	430074 湖北省武汉市高新大道999号未来科技城C2座2楼
主权项：	1.一种有机光电材料分子取向的表征方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：建立待测样品的光学模型，根据所述光学模型中各层薄膜的特征矩阵建立待测样品的薄膜传输矩阵；S2：测量得到样品的测量穆勒矩阵光谱；S3：建立待测样品的分子取向S与样品膜层的消光系数k之间的关系模型，其中，kemax表示垂直方向的消光系数与发射跃迁态对应的最大值，komax表示水平方向的消光系数与发射跃迁态对应的最大值；S4：构建待测样品的介电函数模型并获得参数化的介电函数值，根据所述介电函数值计算样品的光学常数，所述光学常数包括折射率n和消光系数k；S5：根据计算得到的折射率n、消光系数k，采用所述薄膜传输矩阵计算待测样品的理论穆勒矩阵光谱MModel(E)＝M(n(E),k(E)；d)；其中，d为设定的样品薄膜的理论厚度；S6：计算理论穆勒矩阵光谱与测量穆勒矩阵光谱之间的偏差，采用迭代算法通过更改光学常数和样品薄膜的理论厚度以使理论穆勒矩阵光谱和测量穆勒矩阵光谱之间的偏差小于设定阈值，获得消光系数k与波长λ之间的关系图；S7：从所述关系图中分别提取垂直方向和水平方向的消光系数的最大值kemax和komax，并带入所述关系模型，计算得到待测样品的分子取向S。
所属类别：	发明专利

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