专利名称: |
具有一维取向多孔结构的导电高分子复合材料的制备方法 |
摘要: |
本发明公开了一种具有一维取向多孔结构的导电高分子复合材料的制备方法,该制备方法主要涉及物理相变,不涉及化学反应,相比于微加工法、光刻法、软光刻技术等常规方法而言,具有工艺简单,易于控制,对设备的要求不高,生产效率高,投资省的特点,利用本方法所制备的具有一维取向多孔结构的导电高分子复合材料在流动气体传感器等方面具有应用潜力。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
重庆;85 |
申请人: |
煤炭科学研究总院重庆研究院 |
发明人: |
许向彬;李天明;刘罡;叶淑英;刘小林 |
专利状态: |
有效 |
申请日期: |
2009-08-31T00:00:00+0800 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN200910104748.5 |
公开号: |
CN101993546A |
代理机构: |
北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 |
代理人: |
赵荣之 |
分类号: |
C08J9/26(2006.01)I |
申请人地址: |
400037 重庆市沙坪坝区上桥三村55号 |
主权项: |
具有一维取向多孔结构的导电高分子复合材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)悬浮液制作:将导电粒子、可溶聚合物基体、聚合物溶剂配制成均匀的悬浮液;2)定向冷冻:将装载步骤1)所得悬浮液的容器以<500mm/s的速度定向浸入温度比悬浮液凝固点温度低10℃以上的冷却液中,使得在浸入过程中,悬浮液冷冻结晶区域沿浸入方向形成稳定的温度梯度;在整个定向冷冻过程中,先冷却下来的聚合物溶剂分子首先冷冻结晶形成晶柱并发生晶柱定向生长,同时聚合物基体分子和导电粒子在晶柱周围析出;3)低温低压干燥:在聚合物溶剂晶柱生长完成后,将冷冻后的悬浮液及容器置入冷冻干燥机内,使晶柱在低温低压下直接升华,待晶柱完全升华后取出样品,该样品经干燥后即为具有一维取向多孔结构的导电高分子复合材料。 |
所属类别: |
发明专利 |