专利名称: |
二氧化钛纳米管阵列BOD传感器及其制备方法和应用 |
摘要: |
本发明公开了一种二氧化钛纳米管阵列BOD传感器及其制备方法和应用,二氧化钛纳米管阵列BOD传感器包括钛板或钛合金板基体以及在钛板或钛合金板基体表面生成的掺杂二氧化钛纳米管阵列,所述掺杂二氧化钛纳米管阵列主要由以下组分按重量百分比组成:0.5~3%碳、0.3~2.5%氮以及余量的TiO2;所述掺杂二氧化钛纳米管阵列的长度为50nm‑10μm,管径为20nm‑300nm。本发明中采用的C、N掺杂的二氧化钛纳米管阵列BOD传感器,有效提高测量准确性、使用寿命以及重现性;并且本发明二氧化钛纳米管阵列BOD传感器造价低,测量速度快、准确度高便于实现在线监测等特点。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
湖北;42 |
申请人: |
武汉理工大学 |
发明人: |
向文毓;方继敏;徐惠敏 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810187989.X |
公开号: |
CN108445054A |
代理机构: |
北京中济纬天专利代理有限公司 11429 |
代理人: |
王园园 |
分类号: |
G01N27/26(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I;G01N27/406(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/26;G01N27/30;G01N27/327;G01N27/406 |
申请人地址: |
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |
主权项: |
1.二氧化钛纳米管阵列BOD传感器,其特征在于,二氧化钛纳米管阵列BOD传感器包括钛板或钛合金板基体以及在钛板或钛合金板基体表面生成的掺杂二氧化钛纳米管阵列,所述掺杂二氧化钛纳米管阵列主要由以下组分按重量百分比组成:0.5~3%碳、0.3~2.5%氮以及余量的TiO2;所述掺杂二氧化钛纳米管阵列的长度为50nm‑10μm,管径为20nm‑300nm。 |
所属类别: |
发明专利 |