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传感器阵列芯片及其制备方法和应用
| 专利名称： | 传感器阵列芯片及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明涉及微纳米器件与复杂底物分析检测技术领域，公开了传感器阵列芯片及其制备方法和应用。传感器阵列芯片包含基底，以及在基底表面形成的多组重复排列的阵列单元，每个所述阵列单元包含多个相互不同的识别单元，每个所述识别单元包含光子晶体形成的信号处理层，以及在信号处理层表面形成的识别层，所述识别层含有氧化石墨烯和荧光指示剂；每个所述阵列单元中不同的识别单元之间，各识别单元所含有的光子晶体的光子禁带位置不同，且各识别单元所含有的荧光指示剂不同；在每个识别单元中，所述光子晶体的光子禁带位置的波长与所述荧光指示剂的荧光峰的波长相匹配。本发明传感器芯片能够实现多底物的高效分析辨别，检测准确性和重现性高。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院化学研究所;中国科学院大学 |
| 发明人： | 任万杰;李风煜;胡笑添;宋延林 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810323441.3 |
| 公开号： | CN108645824A |
| 代理机构： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 |
| 代理人： | 严政;刘依云 |
| 分类号： | G01N21/64(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/64 |
| 申请人地址： | 100190 北京市海淀区中关村北一街2号 |
| 主权项： | 1.一种传感器阵列芯片，其特征在于，该传感器阵列芯片包含基底(1)，以及在基底表面形成的多组重复排列的阵列单元，每个所述阵列单元包含多个相互不同的识别单元，其中，每个所述识别单元包含光子晶体形成的信号处理层(2)，以及在信号处理层表面形成的识别层(3)，其中，所述识别层含有氧化石墨烯和荧光指示剂(4)；其中，每个所述阵列单元中不同的识别单元之间，各识别单元所含有的光子晶体的光子禁带位置不同，且各识别单元所含有的荧光指示剂不同；在每个识别单元中，所述光子晶体的光子禁带位置的波长与所述荧光指示剂的荧光峰的波长相匹配。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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