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基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法
| 专利名称： | 基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法 |
| 摘要： | 本发明涉及薄膜技术。本发明解决了目前光学薄膜的抗激光损伤能力对比时结果精度不高，且耗时较多的问题，提供了一种基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法，其技术方案可概括为：针对欲对比的处于光学元件表面的至少两个薄膜，分别在硅基底上模拟镀制对应的相同厚度的薄膜，然后分别制作金属电极构成MOS电容结构，采用半导体标志系统测试各MOS结构的高频电容‑电压曲线，得到各归一化电容与电压的变化曲线，对比各归一化电容与电压的变化曲线，判断其中平带电压向正电压方向移动最大的那一个变化曲线对应的薄膜为抗激光损伤能力最强的薄膜。本发明的有益效果是：简单实用，适用于判断薄膜抗激光损伤能力。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 四川大学 |
| 发明人： | 韩敬华;冯国英;范卫星;陈红元;周寿桓 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810068936.6 |
| 公开号： | CN108445046A |
| 代理机构： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 |
| 代理人： | 李凌峰 |
| 分类号： | G01N27/00(2006.01)I;G01N27/22(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/00;G01N27/22 |
| 申请人地址： | 610065 四川省成都市武侯区一环路南一段24号 |
| 主权项： | 1.基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、针对欲对比的处于光学元件表面的至少两个薄膜，在保持相同镀膜条件下，分别在相同类型的硅基底上镀制相同厚度的薄膜，且确保硅基底上的薄膜与光学元件表面的薄膜一一对应，且特性一致；步骤2、分别在硅基底薄膜上制作金属电极，分别构成MOS电容结构；步骤3、采用半导体标志系统测试各MOS结构的高频电容‑电压曲线，得到各归一化电容与电压的变化曲线；步骤4、对比各归一化电容与电压的变化曲线，判断其中平带电压向正电压方向移动最大的那一个变化曲线对应的薄膜为抗激光损伤能力最强的薄膜。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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