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荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法
| 专利名称： | 荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法 |
| 摘要： | 荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，涉及材料物性分析领域。本发明是为了解决现有的用于检测压电材料相变过程的接触式相变检测方式工艺复杂并且工作效率低的问题。将稀土离子均匀掺入压电材料中，高温烧结得到陶瓷片；将陶瓷片置于暗室环境，对陶瓷片施加不同强度的外加场并用光源激发陶瓷片，通过收集陶瓷片中的稀土离子在可见波段的发射谱信息能够得到陶瓷片中的压电材料在外加场下的结构相变；根据发射谱信息得到发射谱区间强度积分，从中提取陶瓷片中稀土离子的电偶极跃迁强度和磁偶极跃迁强度；绘制电偶极跃迁强度与磁偶极跃迁强度的比值随外加场变化曲线，曲线的峰值区间为压电材料结构发生相变的区间。它用于测定压电材料的结构相变。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 黑龙江;23 |
| 申请人： | 哈尔滨工业大学 |
| 发明人： | 姜桂铖;柴晨凯;杨彬;刘丹青;郑立梅;孙晔;曹文武 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810230348.8 |
| 公开号： | CN108444965A |
| 代理机构： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 |
| 代理人： | 岳泉清 |
| 分类号： | G01N21/64(2006.01)I;G01N1/28(2006.01)I;G01N1/44(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N1;G01N21/64;G01N1/28;G01N1/44 |
| 申请人地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
| 主权项： | 1.荧光光谱法测定压电材料结构相变的方法，其特征在于，所述包括以下步骤：步骤一、将稀土离子均匀掺入压电材料中，使用高温烧结掺入稀土离子的压电材料得到陶瓷片；步骤二、将所述的陶瓷片置于暗室环境中，对陶瓷片施加不同强度的外加场并用光源激发陶瓷片，通过收集陶瓷片中的稀土离子在可见波段的发射谱信息能够得到陶瓷片中的压电材料在外加场下的结构相变；步骤三、根据发射谱信息得到发射谱区间强度积分，从该强度积分中分别提取陶瓷片中稀土离子的电偶极跃迁强度和磁偶极跃迁强度，获得电偶极跃迁强度与磁偶极跃迁强度的比值；步骤四、绘制电偶极跃迁强度与磁偶极跃迁强度的比值随暗室环境下外加场的变化曲线，曲线的峰值区间为压电材料结构发生相变的区间。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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