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ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料及其制备方法和传感器
| 专利名称： | ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料及其制备方法和传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米/微米柱阵列、ZnO薄膜、Pt纳米粒子及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米/微米柱阵列，所述Si纳米/微米柱阵列表面包裹有ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面负载有金属纳米粒子，所述Si纳米/微米柱阵列的顶部还设置有电极材料；所述金属纳米粒子为Pt、Au、Ag、Ni、Fe纳米粒子中的至少一种；还公开了该敏感材料的制备方法和传感器。通过控制Si纳米/微米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO和金属纳米粒子的分散效果，利用Si纳米/微米柱阵列的特殊光学特性及金属纳米粒子的局域表面等离子体增强效应提高传感器的灵敏度和整体性能。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 五邑大学 |
| 发明人： | 杨为家;何鑫;沈耿哲;江嘉怡;刘俊杰;刘铭全;刘艳怡;王诺媛;蒋庭辉;劳锦棠 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810701499.7 |
| 公开号： | CN108956714A |
| 代理机构： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 |
| 代理人： | 梁嘉琦 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
| 申请人地址： | 529000 广东省江门市蓬江区东成村22号 |
| 主权项： | 1.一种ZnO/Si纳米/微米柱阵列敏感材料，其特征在于，所述敏感材料包括Si衬底、Si纳米/微米柱阵列、ZnO薄膜、金属纳米粒子及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米/微米柱阵列，所述Si纳米/微米柱阵列表面包裹有ZnO薄膜，所述ZnO薄膜表面负载有金属纳米粒子，所述Si纳米/微米柱阵列的顶部还设置有电极材料；所述金属纳米粒子为Pt、Au、Ag、Ni和Fe纳米粒子中的至少一种。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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