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ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料及其制备方法和传感器
| 专利名称： | ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料及其制备方法和传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料，包括Si衬底、Si纳米柱阵列、ZnO纳米晶及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米柱阵列，所述Si纳米柱阵列表面分布有ZnO纳米晶，所述Si纳米柱阵列的顶部还设置有电极材料；还公开了该敏感材料的制备方法和传感器。通过控制Si纳米柱阵列的有序性和均一性，调控ZnO纳米晶的分布均匀性，提并利用Si纳米柱阵列的特殊光学特性及ZnO纳米晶的局域表面敏感性提高传感器的灵敏度和整体性能。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 五邑大学 |
| 发明人： | 杨为家;何鑫;刘铭全;徐维;王诺媛;刘艳怡;蒋庭辉;江嘉怡;刘均炎;陈振杰 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810700070.6 |
| 公开号： | CN108956712A |
| 代理机构： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 |
| 代理人： | 梁嘉琦 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
| 申请人地址： | 529000 广东省江门市蓬江区东成村22号 |
| 主权项： | 1.一种ZnO纳米晶增强Si纳米柱阵列敏感材料，其特征在于，包括Si衬底、Si纳米柱阵列、ZnO纳米晶及电极材料，所述Si衬底上设置有Si纳米柱阵列，所述Si纳米柱阵列表面分布有ZnO纳米晶，所述Si纳米柱阵列的顶部还设置有电极材料。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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