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原文传递 一种Al掺杂ZnO超薄纳米片敏感材料的制备方法及所得纳米敏感材料的用途
专利名称: 一种Al掺杂ZnO超薄纳米片敏感材料的制备方法及所得纳米敏感材料的用途
摘要: 一种Al掺杂ZnO超薄纳米片敏感材料的制备方法及所得纳米敏感材料的用途,该纳米材料是将Al2O3陶瓷管用超纯水、乙醇、丙酮、超纯水依次超声清洗后,采用直流磁控溅射法在其表面生长Al纳米中间层,将生长Al纳米中间层的陶瓷管放入乙酸锌甲醇溶液中超声,再将其置于马弗炉中加热,冷却至室温生长ZnO种子层;将消解液和生长种子层的陶瓷管放入高压反应釜,再将反应釜置于真空干燥箱中水热处理后,再放入马弗炉中退火,得到在陶瓷管表面可生长出Al掺杂的超薄ZnO纳米片。该方法制备工艺简单、过程清洁无污染且成本较低,所得超薄纳米片作为敏感材料制备气敏元件可实现对乙醇气体的检测。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 天津;12
申请人: 天津理工大学
发明人: 李翠平;黄绪;李明吉;李红姬;钱莉荣;杨保和
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810466967.7
公开号: CN108918630A
代理机构: 天津耀达律师事务所 12223
代理人: 张耀
分类号: G01N27/407(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/407
申请人地址: 300384 天津市西青区宾水西道391号
主权项: 1.一种Al掺杂ZnO超薄纳米片敏感材料的制备方法,其特征是包括以下几个步骤:步骤一,将Al2O3陶瓷管用超纯水、乙醇、丙酮、超纯水依次超声清洗5‑10min,然后用氮气吹干;步骤二,将清洗过的陶瓷管,采用直流磁控溅射法在其表面生长Al纳米中间层,溅射工艺参数为:Al靶材的纯度为99.99%,本底真空度不低于1×10‑4Pa,溅射功率为100‑150W,氩气流量为15‑30sccm,溅射压强为0.5‑1Pa,靶基距为5‑8cm,衬底不加热,预溅射10‑20min,溅射时长为30‑60s;步骤三,将生长Al纳米中间层的陶瓷管放入乙酸锌甲醇溶液中超声5‑10min,再将其置于温度设定为200℃的马弗炉中加热1h,冷却至室温,即生长ZnO种子层;步骤四,将消解液和生长种子层的陶瓷管放入高压反应釜,再将反应釜置于真空干燥箱中,温度设定为100℃,水热处理12h后,冷却至室温取出,将水热法处理后的陶瓷管用超纯水冲洗,再放入温度设定为450‑500℃的马弗炉中退火1h,此时,在陶瓷管表面可生长出Al掺杂的超薄ZnO纳米片。
所属类别: 发明专利
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