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一种简便快速检测半导体纳米晶中的中间体类物质的方法
| 专利名称： | 一种简便快速检测半导体纳米晶中的中间体类物质的方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种简便快速检测半导体纳米晶中的中间体类物质的方法。所述方法以含有元素周期表ⅡB族、ⅢA和IVA族中至少一种金属元素的成分，以及ⅥA族和ⅤA族中至少一种非金属元素的成分为原料，加热反应后，制备得到半导体纳米晶类物质，稀释于惰性有机溶剂中，通过添加极性质子类试剂将中间体类物质转化为魔尺寸纳米簇，再通过紫外可见分光光度计检测光谱的变化来判断中间体类物质是否存在。本发明所述方法通过紫外可见光谱极为方便地确定反应制备半导体纳米晶中是否含有中间体，能够帮助快速鉴别从而得到更纯净的半导体纳米晶，使其更好地应用到发光二极管、太阳能电池等领域。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 四川大学 |
| 发明人： | 张保卫;余睽;朱婷婷;朱笛凯;汪林夕;张静 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810260117.1 |
| 公开号： | CN108458979A |
| 代理机构： | 北京知呱呱知识产权代理有限公司 11577 |
| 代理人： | 李芙蓉;孙进华 |
| 分类号： | G01N21/31(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/31 |
| 申请人地址： | 610065 四川省成都市一环路南一段24号 |
| 主权项： | 1.一种简便快速检测半导体纳米晶中的中间体类物质的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤一：以含有元素周期表ⅡB族、ⅢA和IVA族中至少一种金属元素的成分，以及ⅥA族和ⅤA族中至少一种非金属元素的成分为原料，加热反应后，制备得到半导体纳米晶类物质；步骤二：将所述半导体纳米晶类物质稀释于惰性有机溶剂中；步骤三：向步骤二所得稀释物中添加极性质子类试剂；步骤四：用紫外可见分光光度计测试步骤三所得试样，判断相应光谱中是否出现魔尺寸纳米簇；如果谱图中出现魔尺寸纳米簇的峰，则所述半导体纳米晶类物质中含有中间体类物质；如果谱图中没有出现魔尺寸纳米簇的峰，则所述半导体纳米晶类物质中不含有中间体类物质。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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