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气敏元件敏感材料及其制备方法
| 专利名称： | 气敏元件敏感材料及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种气敏元件敏感材料及其制备方法。其中，所述气敏元件敏感材料含有如下组分：Zr‑SnO2 86～96wt％，Sb2O3 1～6wt％，SiO2 0.5～3.5wt％，CaF2 0.2～2.5wt％，PdCl2 1～4wt％。本发明技术方案通过敏感配方设计合理，所制备的气敏浆料均匀，并通过对SnO2进行微量掺杂Zr元素，有效抑制SnO2晶粒生长，并有效避免直接引入ZrO2而导致不良分散的问题，再通过合理控制CaF2、Sb2O3、SiO2和少量PdCl2等配比，显著改善敏感膜稳定性和提高敏感膜的气敏反应活性；同时，合理控制各配方组分的尺寸粒径，改善气敏元件灵敏度和长期工作稳定性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
| 发明人： | 林勇;罗彪;张天宇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810498418.8 |
| 公开号： | CN108956709A |
| 代理机构： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 |
| 代理人： | 晏波 |
| 分类号： | G01N27/12(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/12 |
| 申请人地址： | 528311 广东省佛山市顺德区北滘镇林港路 |
| 主权项： | 1.一种气敏元件敏感材料，其特征在于，所述气敏元件敏感材料含有如下组分：Zr‑SnO2 86～96wt％，Sb2O3 1～6wt％，SiO2 0.5～3.5wt％，CaF2 0.2～2.5％wt％，PdCl2 1～4wt％。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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