专利名称: |
一种高电活性修饰电极的制备方法及其应用 |
摘要: |
本发明涉及一种高电活性修饰电极的制备方法及其应用。该制备方法步骤包括:首先在预先处理的玻碳电极上修饰有序介孔碳CMK‑3薄膜,再修饰全氟化酞箐钴分子层,得到高电活性修饰电极CoPcF16‑CMK‑3/GCE。本发明还涉及一种高电活性修饰电极在半胱氨酸检测中的应用。有益效果:通过该方法制备的修饰电极,呈现5对氧化还原峰,表现出优异的电化学活性,制备方法简单、牢固。本申请制备的高电化学活性电极不仅能催化巯基的氧化,还能催化其氧化产物的还原,并且对半胱氨酸和谷胱甘肽产生了电化学氧化还原差别,可用于在高浓度谷胱甘肽存在条件下选择性识别半胱氨酸。此外,该方法实现了在较负电位范围内半胱氨酸检测,解决了传统电氧化方法检测半胱氨酸时存在多巴胺、抗坏血酸、尿酸等易氧化干扰物的影响问题。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
山东;37 |
申请人: |
鲁东大学 |
发明人: |
袁柏青;徐春荧;张少华;金娟;牛余忠;陈厚;柏良久 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201811045990.5 |
公开号: |
CN108956739A |
代理机构: |
北京中济纬天专利代理有限公司 11429 |
代理人: |
马国冉 |
分类号: |
G01N27/327(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/327 |
申请人地址: |
264025 山东省烟台市芝罘区红旗中路184号 |
主权项: |
1.一种高电活性修饰电极的制备方法,其特征在于,步骤包括:(1)将有序介孔碳CMK‑3粉末置于N,N‑二甲基甲酰胺中,水浴超声40分钟,形成0.2mg/mL的介孔碳CMK‑3分散液;(2)用移液枪移取5微升0.2mg/mL介孔碳CMK‑3分散液滴到经预处理后的玻碳电极表面,形成微球液滴,自然蒸发晾干,得到介孔碳CMK‑3修饰的玻碳电极;(3)将2mg全氟化酞箐钴置于1mL DMF中,60摄氏度水浴超声40分钟,然后离心除去未溶解的全氟酞箐钴,制得全氟酞箐钴溶液;(4)取5微升全氟酞箐钴溶液滴到有序介孔碳CMK‑3修饰的玻碳电极表面形成微球液滴,放置40分钟,然后依次用N,N‑二甲基甲酰胺和水冲洗电极表面,得到高电活性修饰电极。 |
所属类别: |
发明专利 |