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一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法
| 专利名称： | 一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法 |
| 摘要： | 本发明提供了一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法，所述二维过渡金属硫族化合物包含二硒化钼、二硫化钼、二硒化钨等所有过渡金属硫族化合物。利用水蒸气氛围低温加热后，可以在光学显微镜下观察到样品的晶界。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，在光学显微镜下即可观察到多晶二维过渡金属硫族化合物的晶界。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 北京大学 |
| 发明人： | 王金焕;徐小志;乔瑞喜;刘开辉 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810040236.6 |
| 公开号： | CN108362694A |
| 代理机构： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
| 代理人： | 张肖琪 |
| 分类号： | G01N21/84(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/84 |
| 申请人地址： | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 |
| 主权项： | 1.一种快速检测二维过渡金属硫族化合物晶界的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(一)将待测二维过渡金属硫族化合物样品放置于烘烤装置上在包含氧的氛围中进行刻蚀；(二)待测二维过渡金属硫族化合物样品刻蚀一段时间后，采用显微镜即可观察到待测二维过渡金属硫族化合物样品的晶界。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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