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一种高分布密度纳米间隙有序阵列及其制备方法与应用
| 专利名称： | 一种高分布密度纳米间隙有序阵列及其制备方法与应用 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高分布密度纳米间隙有序阵列及其制备方法与应用，它是形貌尺寸均一的有序柱状阵列，呈六方非紧密排列，并且均匀生长在基底上；在所述有序柱状阵列中，相邻纳米柱之间的间隙为5～30nm。其制备方法包括将贵金属纳米颗粒阵列连同基底一起放置于反应离子刻蚀机中进行刻蚀，再进行镀膜，即制得高分布密度纳米间隙有序阵列。该高分布密度纳米间隙有序阵列可直接作为SERS基底，用于对4‑ATP进行检测。本发明能够将相邻纳米结构单元之间的间隙控制在最优间隙距离，不仅活性位点分布均匀、SERS灵敏度高、信号稳定、重现性好，而且制备工艺简单、快速高效、成本低廉、环保无污染，适合大规模工业化生产。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 安徽;34 |
| 申请人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 发明人： | 李越;温路路;孙一强;蔡伟平 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810343957.4 |
| 公开号： | CN108982464A |
| 代理机构： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 |
| 代理人： | 郑立明;李闯 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;G;B;G01;B82;G01N;B82Y;G01N21;B82Y40;G01N21/65;B82Y40/00 |
| 申请人地址： | 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号 |
| 主权项： | 1.一种高分布密度纳米间隙有序阵列，其特征在于，所述高分布密度纳米间隙有序阵列是形貌尺寸均一的有序柱状阵列，呈六方非紧密排列，并且均匀生长在基底上；在所述有序柱状阵列中，单个纳米柱的底面直径为40～150nm，高度为200～800nm，相邻纳米柱之间的间隙为5～30nm。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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