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一种表面增强拉曼有序复合阵列芯片的制备方法及其应用
| 专利名称： | 一种表面增强拉曼有序复合阵列芯片的制备方法及其应用 |
| 摘要： | 本发明公开了一种表面增强拉曼有序复合阵列芯片的制备方法，它首先以光刻法结合深硅刻蚀技术，在硅片上刻蚀一定排列方式的纳米硅柱阵列；然后以纳米硅柱阵列为模板，通过原子层沉积法均匀制备ZnO薄膜；接着用水浴法组装一定形状的纳米氧化锌片硅柱阵列，退火处理后，磁控溅射纳米银构筑复合芯片，得到超灵敏表面增强拉曼有序复合阵列芯片。本发明的制备方法简单、工艺稳定；制备得到的表面增强拉曼散射芯片灵敏度高、选择性好、能满足痕量炸药检测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 四川;51 |
| 申请人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
| 发明人： | 何璇;刘渝;王慧 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201710726306.9 |
| 公开号： | CN107543813A |
| 代理机构： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
| 代理人： | 刘兴亮;刘渝 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I;H01L21/208(2006.01)I;H01L21/3205(2006.01)I;G;H;G01;H01;G01N;H01L;G01N21;H01L21;G01N21/65;H01L21/208;H01L21/3205 |
| 申请人地址： | 621000 四川省绵阳市绵山路64号 |
| 主权项： | 一种表面增强拉曼有序复合阵列芯片的制备方法，其特征在于它首先以光刻法结合深硅刻蚀技术，在硅片上刻蚀一定排列方式的纳米硅柱阵列；然后以纳米硅柱阵列为模板，通过原子层沉积法均匀制备ZnO薄膜；接着用水浴法组装一定形状的纳米氧化锌片硅柱阵列，退火处理后，磁控溅射纳米银构筑复合芯片，得到超灵敏表面增强拉曼有序复合阵列芯片。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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