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原文传递表面增强拉曼散射微纳芯片及其制备方法、应用和拉曼光谱测试系统

专利名称：	表面增强拉曼散射微纳芯片及其制备方法、应用和拉曼光谱测试系统
摘要：	本发明提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片及其制备方法、应用和拉曼光谱测试系统，涉及拉曼散射芯片技术领域，所述表面增强拉曼散射微纳芯片包括基底，所述基底上设置有纳米金属棒阵列，所述纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成，所述纳米金属棒的两端均具有尖端结构，所述纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上负载有二硫化钼量子点，该微纳芯片通过纳米金属棒阵列、纳米金属棒的尖端结构及负载的二氧化钼量子点相互协同，能够有效增强基底上的待测物分子信号，显著提高了拉曼光谱检测精度，为痕量检测提供了手段，可适用于活性生物大分子、毒品、爆炸物、食品卫生和环境检测等众多领域。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	重庆;50
申请人：	北威(重庆)科技股份有限公司
发明人：	刘勇江;张欣
专利状态：	有效
申请日期：	2019-06-25T00:00:00+0800
发布日期：	2019-08-09T00:00:00+0800
申请号：	CN201910552955.0
公开号：	CN110108697A
代理机构：	北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人：	肖丽
分类号：	G01N21/65(2006.01);G;G01;G01N;G01N21
申请人地址：	400800 重庆市万盛经开区平山产业园区管委会306室
主权项：	1.一种表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，包括基底，所述基底上设置有纳米金属棒阵列，所述纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成，所述纳米金属棒的两端均具有尖端结构，所述纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上负载有二硫化钼量子点。 2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，所述二硫化钼量子点为单层结构；优选地，所述二硫化钼量子点的厚度为0.7-1.2nm；优选地，所述二硫化钼量子点的尺寸为2-4nm。 3.根据权利要求1或2所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，所述纳米金属棒的长径比为2-8。 4.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，所述纳米金属棒的材质选自金、银、铝或铜中的至少一种，优选为金；和/或，所述基底为硅片或玻璃。 5.根据权利要求1-4任一项所述的表面增强拉曼散射微纳芯片，其特征在于，所述二硫化钼量子点的制备方法包括如下步骤：将二硫化钼、丹宁酸和离子液体混合，获得混合液，将混合液依次进行研磨处理、超声处理和加热处理，得到二硫化钼量子点；优选地，重复交替进行超声处理和加热处理。 6.根据权利要求1-5任一项所述的表面增强拉曼散射微纳芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： (a)提供固定有纳米金属棒阵列的基底，其中，纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成，纳米金属棒的两端均具有尖端结构； (b)将固定有纳米金属棒的基底浸没于二硫化钼量子点分散液中，使二硫化钼量子点负载于纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上，得到表面增强拉曼散射微纳芯片。 7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤(b)中，二硫化钼量子点分散液为二硫化钼量子点的水分散液；优选地，二硫化钼量子点的水分散液中，二硫化钼量子点的浓度为0.4-0.6g/mL；优选地，通过搅拌使二硫化钼量子点负载于纳米金属棒远离基底的一端的尖端结构上；优选地，搅拌速度为400-1000rpm；优选地，搅拌时间为2-8h。 8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，固定有纳米金属棒阵列的基底按照如下方法制备得到：将纳米金属棒分散液滴加到基底上，进行干燥，得到固定有纳米金属棒阵列的基底；优选地，所述干燥为蒸发干燥，进一步优选地，蒸发干燥的时间为12-36h；优选地，基底先依次进行清洗、亲水性处理以及硅烷化处理后，再在基底上滴加纳米金属棒分散液；优选地，清洗所用试剂为乙醇和丙酮的混合液，进一步优选地，清洗时间为10-30min；优选地，亲水性处理所用的试剂为食人鱼洗液，进一步优选地，亲水性处理的时间为0.5-2h；优选地，硅烷化处理所用试剂为(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液，进一步优选地，硅烷化处理的时间为2-4h，更进一步优选地，所述(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液中，(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷的含量为0.8-1.2wt％。 9.根据权利要求1-5任一项所述的表面增强拉曼散射微纳芯片在痕量检测中的应用。 10.一种拉曼光谱测试系统，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的表面增强拉曼散射微纳芯片。
所属类别：	发明专利