专利名称: |
用于气体光电探测器的阻性光阴极、制备方法及测试方法 |
摘要: |
本公开提供一种用于气体光电探测器的阻性光阴极、制备方法及测试方法,该用于气体光电探测器的阻性光阴极包括:基底层以及DLC薄膜,该DLC薄膜形成于基底层的上表面。本公开实施例提供的用于气体光电探测器的阻性光阴极、制备方法及测试方法使用DLC薄膜来制备阻性光阴极材料,采用磁控溅射方法在基底层上沉积DLC薄膜,使得DLC一方面能够作为气体探测器的透射式光阴极材料,另一方面也能够适用于气体探测器的阻性电极材料应用,并且通过优化改进DLC制备的工艺参数,使得在基底层上能够得到量子效率高,电阻率合适,厚度均匀性好,结合力强的DLC薄膜。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
安徽;34 |
申请人: |
中国科学技术大学 |
发明人: |
周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;丰建鑫 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810851558.9 |
公开号: |
CN108982476A |
代理机构: |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人: |
李坤 |
分类号: |
G01N21/69(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;G;H;C;G01;H01;C23;G01N;H01L;C23C;G01N21;H01L31;C23C14;G01N21/69;H01L31/0224;C23C14/06;C23C14/35 |
申请人地址: |
230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号 |
主权项: |
1.一种用于气体光电探测器的阻性光阴极,包括:基底层;以及DLC薄膜,形成于所述基底层的上表面。 |
所属类别: |
发明专利 |