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原文传递全阻性微井型探测器放大单元及制备方法

专利名称：	全阻性微井型探测器放大单元及制备方法
摘要：	本公开提供一种全阻性微井型探测器的放大单元及制备方法，该全阻性微井型探测器放大单元由下至上依次分为：读出电极PCB、Prepreg层、第一阻性DLC层、APICAL层以及第二阻性DLC层；本公开提供的全阻性微井型探测器放大单元及制备方法中上下电极为40nm左右的阻性DLC层，其物质量比APICAL小3个量级，因此放大单元的总物质量仅为μRWELL探测器放大单元总物质量的33％左右，更低的物质量能有效降低探测器在探测低能带电粒子时对粒子本身造成的影响，有效拓展该探测器在中低能核物理实验中的应用。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	安徽;34
申请人：	中国科学技术大学
发明人：	周意;吕游;尚伦霖;张广安;鲁志斌;刘建北;张志永;邵明
专利状态：	有效
申请日期：	2018-12-13T00:00:00+0800
发布日期：	2019-05-03T00:00:00+0800
申请号：	CN201811529144.0
公开号：	CN109709149A
代理机构：	中科专利商标代理有限责任公司
代理人：	李坤
分类号：	G01N27/00(2006.01);G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号
主权项：	1.一种全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，包括：步骤A：在读出电极PCB的表面制作Prepreg层；步骤B：将APICAL基材粘接在所述Prepreg层上，该APICAL基材包括： APICAL层；阻性DLC层，分别形成于所述APICAL层的上下表面；以及铜层，形成于任意一层所述阻性DLC层的表面；其中，所述DLC层与所述Prepreg层贴合，所述铜层远离所述Prepreg层设置；步骤C：对所述APICAL基材进行处理，使其表面形成高压连接线路以及深度直至所述APICAL层下表面的所述阻性DLC层的井型孔阵列；步骤D：将步骤C得到基材放入铜刻蚀液中进行刻蚀，移除剩余的所述铜层。 2.根据权利要求1所述的全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，所述步骤C包括：步骤C1：对所述APICAL基材中的所述铜层进行刻蚀，形成孔阵列以及所述高压连接线路；步骤C2：对所述APICAL基材的上表面进行喷砂处理；步骤C3：将经过喷砂处理后的基材清洁后放入APICAL刻蚀液中进行刻蚀，形成所述井型孔阵列；步骤C4：移除所述井型孔阵列中残留的DLC薄膜。 3.根据权利要求2所述的全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，所述步骤C1中，对所述铜层进行刻蚀，形成直径介于60μm至80μm之间的孔阵列。 4.根据权利要求2所述的全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，所述步骤C3中，所述井型孔阵列中的每个井型孔的顶部直径介于65μm至75μm之间，底部直径介于50μm至60μm之间。 5.根据权利要求2所述的全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，所述步骤C4中，刻蚀完成后，将步骤C3得到的基材取出清洁并烘干，使用高压气枪对所述APICAL基材的上表面进行吹扫并清洗，移除孔中残留的DLC薄膜。 6.根据权利要求1所述的全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，所述步骤B中，使用环氧树脂胶将所述APICAL基材粘接在所述Prepreg层上。 7.根据权利要求6所述的全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，粘接过程中对所述APICAL基材施加介于10kg/cm2至20kg/cm2之间的压力。 8.根据权利要求1所述的全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，通过修改磁控溅射制备过程中的参数，来得到具有不同面电阻率的阻性DLC层；所述磁控溅射制备过程中的参数包括：腔体真空度、靶电流、掺杂、沉积时间或上述参数的组合。 9.根据权利要求1所述的全阻性微井型探测器放大单元的制备方法，其中：所述阻性DLC层的厚度介于35nm至45nm之间；所述铜层的厚度介于4μm至4.5μm之间。 10.一种全阻性微井型探测器放大单元，其由下至上依次分为：读出电极PCB； Prepreg层，形成于所述读出电极PCB的上表面；第一阻性DLC层，粘接在所述Prepreg层的上表面； APICAL层，形成于所述第一阻性DLC层的上表面；第二阻性DLC层，形成于所述APICAL层的上表面；其中，所述第二阻性DLC层上表面上形成有高压连接线路以及深度直至所述第一阻性DLC层的井型孔阵列。
所属类别：	发明专利