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一种用于激光击穿光谱的自吸收效应修正方法
| 专利名称： | 一种用于激光击穿光谱的自吸收效应修正方法 |
| 摘要： | 一种用于修正激光诱导击穿光谱中自吸收效应的方法，其特点在于以黑体辐射强度作为参考进行修正。首先设定变量F和T分别表示收光系统的收集效率参数和等离子体温度初值，并根据F和T计算黑体辐射强度，然后以黑体辐射强度作为参考进行初步的自吸收修正并得到光谱，根据初步修正后的光谱计算元素各条谱线的强度，然后使用玻尔兹曼平面法进行线性拟合，得出拟合直线的斜率和线性相关系数，不断调整F和T的取值直至其满足特定代数关系。该方法对激光击穿光谱技术中的硬件没有额外要求，对于样品类型、样品中所含元素等也没有特殊要求，可适用于几乎所有的光谱；使用修正后的光谱可以有效提高激光击穿光谱技术的测量精度。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 清华大学 |
| 发明人： | 王哲;侯宗余;李天奇 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201811157816.X |
| 公开号： | CN109030467A |
| 代理机构： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 |
| 代理人： | 邸更岩 |
| 分类号： | G01N21/73(2006.01)I;G01N21/71(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/73;G01N21/71 |
| 申请人地址： | 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 |
| 主权项： | 1.一种用于修正激光诱导击穿光谱中自吸收效应的方法，其特征在于包含以下步骤：1)对待测样品进行激光击穿光谱实验，记录激光击穿光谱实验得到的原始光谱数据P(λ)，设定变量F和T分别表示收光系统的收集效率参数和等离子体温度；2)根据F和T计算黑体辐射强度L(λ,F,T)，公式为： |
| 所属类别： | 发明专利 |
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