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原文传递 一种自吸收免疫激光诱导击穿光谱的双线快速选择方法
专利名称: 一种自吸收免疫激光诱导击穿光谱的双线快速选择方法
摘要: 本发明涉及一种自吸收免疫激光诱导击穿光谱的双线快速选择方法,通过比较一批样品中待测元素含量最高的边界样品在等离子体初期和末期的双线强度比值和理论强度比值来确定所选双线在等离子体辐射光谱采集期间内,是否能达到光学薄态并适用于SAF‑LIBS分析。通过本发明,能够在实际测量前快速地选择能达到光学薄态的待测元素双线,从而消除自吸收效应对定量分析的影响,获得更精确的定量分析结果。
专利类型: 发明专利
申请人: 山西大学
发明人: 侯佳佳;骆丁玲;张雷;尹王保;肖连团;贾锁堂
专利状态: 有效
申请日期: 1900-01-20T13:00:00+0805
发布日期: 1900-01-20T00:00:00+0805
申请号: CN202010029534.2
公开号: CN111198179A
代理机构: 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人: 郑晋周
分类号: G01N21/71;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/71
申请人地址: 030006 山西省太原市小店区坞城路92号
主权项: 1.一种自吸收免疫激光诱导击穿光谱的双线快速选择方法,其特征在于,包括步骤: (1)选定一组待测元素的上能级能量差及下能级能量差皆小于0.05 eV的双线,将强度高的记为第一谱线,强度低的记为第二谱线,计算两条谱线处于光学薄态的理论积分强度比值C1; (2)以固定时间间隔为步长,对于一批待测样品中含量最高的边界样品在等离子体的演化初、末期,分别测定双线信噪比大于10的最小和最大光谱采集延迟时间ti和tf; (3)在ti和tf时刻,分别测定含量最高的边界样品等离子体的双线积分强度比值Ri和Rf; (4)若(C1-Ri)·(C1-Rf)﹤0,则该批样品的等离子体均可达到准光学薄态,所选双线适用于对该批样品进行SAF-LIBS定量分析;若(C1-Ri)·(C1-Rf)﹥0,则该双线不适用于对该批样品进行SAF-LIBS定量分析,需另选其它双线。 2.根据权利要求1所述的自吸收免疫激光诱导击穿光谱的双线快速选择方法,其特征在于,处于光学薄态的双线理论积分强度比值通过以下公式计算: 其中,是谱线处于光学薄态的理论积分强度,A是跃迁几率,g是上能级简并度,λ是谱线波长;标号1和2分别代表第一谱线和第二谱线。
所属类别: 发明专利
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