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原文传递 基于2-巯基苯并咪唑的L-半胱氨酸的检测方法及传感器
专利名称: 基于2-巯基苯并咪唑的L-半胱氨酸的检测方法及传感器
摘要: 本发明公开了一种基于2‑巯基苯并咪唑的L‑半胱氨酸的检测方法及传感器,将2‑巯基苯并咪唑(2‑MBI)修饰在栅极延长出来的金电极的金膜层表面上,形成一种简易的2‑MBI自组装膜延长栅金电极(G‑GE),利用场效应晶体管原位信号的放大作用对L‑半胱氨酸(L‑Cys)实现灵敏检测。传感器对L‑半胱氨酸具有良好的能斯特响应关系,线性范围为5.0×10‑8—1.0×10‑4mol/L,响应灵敏度为62.28mV/pC(25℃),检出限为2.7×10‑8mol/L。其制备过程简单便捷,响应时间快,具有潜在的应用前景。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 湖南;43
申请人: 长沙理工大学
发明人: 曹忠;朱钦;王煜;肖忠良;冯泽猛;印遇龙
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810984041.7
公开号: CN109030583A
代理机构: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340
代理人: 刘佳芳
分类号: G01N27/26(2006.01)I;G01N27/327(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/26;G01N27/327
申请人地址: 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号
主权项: 1.基于2‑巯基苯并咪唑的L‑半胱氨酸的检测方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)在场效应晶体管的Si基底层(1)上植入p阱(2)和N型衬底(3),采用热蒸发和磁控溅射技术在p阱(2)处构建源电极(4)和漏电极(5),然后在被植入p阱(2)和N型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的Si基底层(1)上构建二氧化硅层(6),再采用热蒸发和磁控溅射技术在多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10),最后在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上构建氮化硅层(11);将栅极部分延长0.1—500mm的距离,制得具有栅极金电极的延长栅场效应晶体管;(2)制备2‑巯基苯并咪唑的氢氧化钠溶液,并将抛光、清洗、且于Piranha溶液中浸泡过的延长栅场效应晶体管的栅极金电极再次清洗后浸泡于2‑巯基苯并咪唑的氢氧化钠溶液中,然后洗净浸泡后的栅极金电极,制得2‑巯基苯并咪唑膜(12)修饰的2‑巯基苯并咪唑膜栅极金电极;(3)将参比电极、2‑巯基苯并咪唑膜栅极金电极与延长栅场效应晶体管的电极接口相连形成双高阻差分放大电路,将参比电极、2‑巯基苯并咪唑膜栅极金电极插入Tris‑HCl缓冲溶液中,将延长栅场效应晶体管的电源接口分别与稳压电源的正负极相连,将延长栅场效应晶体管的信号输出接口与万用电表的测试端口相连,由此构成一个完整的传感检测回路;利用场效应晶体管的原位信号放大作用,可灵敏检测体系的电位变化;作为工作电极的2‑巯基苯并咪唑膜栅极金电极在Tris‑HCl缓冲溶液的电位会随着时间的增加而逐渐趋向于稳定,待电位稳定后加入含有不同浓度L‑半胱氨酸(13)的待测样品,进而获得相应的电位响应数据,完成待测样品中L‑半胱氨酸(13)的检测。
所属类别: 发明专利
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