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一种基于3-巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L-半胱氨酸的检测方法及传感器
| 专利名称： | 一种基于3-巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L-半胱氨酸的检测方法及传感器 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于3‑巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L‑半胱氨酸的检测方法及传感器，将3‑巯基丙磺酸(MPS)修饰在栅极延长出来的金电极的金膜层表面上，形成一种简易的MPS自组装延长栅金电极(GGE)，利用场效应晶体管原位信号放大作用对L‑半胱氨酸实现灵敏检测。该传感器对L‑半胱氨酸具有良好的能斯特响应关系，线性范围为5.0×10‑7—1.0×10‑3mol/L，响应灵敏度为58.91±1.19mV/‑pC(25℃)，检出限为3.3×10‑7mol/L。其制备过程简单便捷，响应时间快，在生命科学、临床医学等方面具有重要的应用前景。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖南;43 |
| 申请人： | 长沙理工大学 |
| 发明人： | 肖忠良;肖情;朱钦;曹忠;陈琳;杨丽琴;李文锋;全浩;于鑫垚 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811500048.3 |
| 公开号： | CN109374701A |
| 代理机构： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 |
| 代理人： | 刘佳芳 |
| 分类号： | G01N27/26(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号 |
| 主权项： | 1.一种基于3‑巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L‑半胱氨酸的检测方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)在场效应晶体管的Si基底层(1)上植入p阱(2)和N型衬底(3)，采用热蒸发和磁控溅射技术在p阱(2)处构建源电极(4)和漏电极(5)，然后在被植入p阱(2)和N型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的Si基底层(1)上构建二氧化硅层(6)，再采用热蒸发和磁控溅射技术在多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)，最后在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上构建氮化硅层(11)；将栅极部分延长0.1—500mm的距离，制得具有栅极金电极的延长栅场效应晶体管；(2)制备3‑巯基丙磺酸的乙醇溶液，并将清洗后的延长栅场效应晶体管的栅极金电极浸泡于其中，于25℃条件下静置，然后洗净浸泡后的栅极金电极，制得3‑巯基丙磺酸膜(12)修饰的3‑巯基丙磺酸膜栅极金电极；(3)将参比电极、3‑巯基丙磺酸膜栅极金电极与延长栅场效应晶体管的电极接口相连形成双高阻差分放大电路，将参比电极、3‑巯基丙磺酸膜栅极金电极插入PBS缓冲溶液中，将延长栅场效应晶体管的电源接口分别与稳压电源的正负极相连，将延长栅场效应晶体管的信号输出接口与万用电表的测试端口相连，由此构成一个完整的传感检测回路；利用场效应晶体管的原位信号放大作用，可灵敏检测体系的电位变化；作为工作电极的3‑巯基丙磺酸膜栅极金电极在PBS缓冲溶液的电位会随着时间的增加而逐渐趋向于稳定，待电位稳定后加入含有不同浓度L‑半胱氨酸(13)的待测样品，进而获得相应的电位响应数据，完成待测样品中L‑半胱氨酸(13)的检测。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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