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一种基于3-巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L-半胱氨酸传感器
| 专利名称： | 一种基于3-巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L-半胱氨酸传感器 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于3‑巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L‑半胱氨酸传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极表面组装有3‑巯基丙磺酸膜。本实用新型将3‑巯基丙磺酸(MPS)修饰在栅极延长出来的金电极的金膜层表面上，形成一种简易的MPS自组装延长栅金电极(GGE)，利用场效应晶体管原位信号放大作用对L‑半胱氨酸实现灵敏检测。该传感器对L‑半胱氨酸具有良好的能斯特响应关系，线性范围为5.0×10‑7—1.0×10‑3mol/L，响应灵敏度为58.91±1.19mV/‑pC(25℃)，检出限为3.3×10‑7mol/L。其制备过程简单便捷，响应时间快，在生命科学、临床医学等方面具有重要的应用前景。 |
| 专利类型： | 实用新型 |
| 国家地区组织代码： | 湖南;43 |
| 申请人： | 长沙理工大学 |
| 发明人： | 肖忠良;肖情;朱钦;曹忠;陈琳;杨丽琴;李文锋;全浩;于鑫垚 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请日期： | 2018-08-28T00:00:00+0800 |
| 发布日期： | 2019-05-14T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201821387694.9 |
| 公开号： | CN208860791U |
| 代理机构： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 |
| 代理人： | 刘佳芳 |
| 分类号： | G01N27/26(2006.01);G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 410114 湖南省长沙市天心区万家丽南路二段960号 |
| 主权项： | 1.一种基于3-巯基丙磺酸修饰栅极金电极的L-半胱氨酸传感器，所述传感器包括场效应晶体管，所述场效应晶体管上设有栅极延长的金电极，其特征在于，所述栅极延长的金电极中，所述栅极部分延长0.1—500mm的距离，金电极的金膜层(10)表面组装有3-巯基丙磺酸膜(12)。 2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述场效应晶体管包括Si基底层(1)和设于Si基底层(1)上的多晶硅栅极(7)；所述Si基底层(1)上植入p阱(2)和N型衬底(3)，所述p阱(2)处设有源电极(4)和漏电极(5)，被植入p阱(2)和N型衬底(3)并构建有源电极(4)和漏电极(5)的Si基底层(1)上设有二氧化硅层(6)；所述多晶硅栅极(7)的基底层上依次镀上铝铜合金层(8)、铬钯合金层(9)和金膜层(10)；在多晶硅栅极(7)的基底层和二氧化硅层(6)上还设有氮化硅层(11)。 3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，所述铝铜合金层(8)的厚度为20—600nm，铬钯合金层(9)的厚度为20—600nm，金膜层(10)的厚度为20—1000nm。 |
| 所属类别： | 实用新型 |
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