专利名称: |
一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片 |
摘要: |
本发明涉及一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片,耦合光栅(1)、介质波导、表面等离子波导、微流体结构和硅基底(2);介质波导由波导上包层(3)、波导下包层(4)和波导芯层(5)组成;波导上包层(3)设置在波导芯层(5)的上表面,耦合光栅(1)分布在波导芯层(5)的上表面,且耦合光栅(1)未与波导上包层(3)接触;硅基底(2)、波导下包层(4)和波导芯层(5)的外表面齐平,波导上包层(3)、表面等离子波导芯层(9)和微流体通道(8)的外表面齐平。本发明的基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片,结构简单、尺寸很小,可在单一芯片上制作阵列式结构,提高检测灵敏度。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
重庆;50 |
申请人: |
重庆邮电大学 |
发明人: |
赖春红;吴聪;夏大杨;何婷;叶林欣;王春瑞 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810290195.6 |
公开号: |
CN108693160A |
代理机构: |
北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 |
代理人: |
赵荣之 |
分类号: |
G01N21/65(2006.01)I;B01L3/00(2006.01)I;G;B;G01;B01;G01N;B01L;G01N21;B01L3;G01N21/65;B01L3/00 |
申请人地址: |
400065 重庆市南岸区黄桷垭崇文路2号 |
主权项: |
1.一种基于长程等离子波导的表面增强拉曼光流体芯片,其特征在于:耦合光栅(1)、介质波导、表面等离子波导、微流体结构和硅基底(2);所述介质波导由波导上包层(3)、波导下包层(4)和波导芯层(5)组成,所述波导下包层(4)层叠设置在所述硅基底(2)的上表面,所述波导芯层(5)层叠设置在所述波导下包层(4)的上表面;所述波导上包层(3)设置在所述波导芯层(5)的上表面,且所述波导上包层(3)的下表面积小于所述波导芯层(5)的上表面积;所述耦合光栅(1)分布在所述波导芯层(5)的上表面,且所述耦合光栅(1)未与所述波导上包层(3)接触;所述波导上包层(3)的上表面设置有表面等离子波导芯层(9);所述微流体结构由进液通道(6)、出液通道(7)和微流体通道(8)组成;所述微流体通道(8)层叠设置在所述表面等离子波导芯层(9)的上表面,所述进液通道(6)和出液通道(7)均设置于所述微流体通道(8)的上表面;所述硅基底(2)、波导下包层(4)和波导芯层(5)的外表面齐平,所述波导上包层(3)、表面等离子波导芯层(9)和微流体通道(8)的外表面齐平;入射光从耦合光栅(1)射入并从波导芯层(5)另一端射出。 |
所属类别: |
发明专利 |