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基于非平面结构的响应来表征流体样本
| 专利名称： | 基于非平面结构的响应来表征流体样本 |
| 摘要： | 本文公开了与基于非平面结构的响应来表征流体样本相关联的装置、方法和存储介质。在实施例中，装置可包括非平面结构，该非平面结构具有外表(例如，弯曲外表)和核心，核心具有响应于将流体样本施加于该非平面结构而改变(例如，通过渗透)的内容物。该装置可包括用于基于测量结果来标识指示流体特征的值的一个或多个处理器、设备和/或电路。可公开或要求保护其它实施例。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 美国;US |
| 申请人： | 英特尔公司 |
| 发明人： | V·曼纳波;H·考尔;Y·I·克里蒙;D·I·颇斯纳;A·K·艾纳曼德拉姆 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810167971.3 |
| 公开号： | CN108693304A |
| 代理机构： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 |
| 代理人： | 高见;黄嵩泉 |
| 分类号： | G01N33/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N33;G01N33/00 |
| 申请人地址： | 美国加利福尼亚州 |
| 主权项： | 1.一种装置，包括：衬底；形成于衬底上的非平面结构，所述非平面结构具有半透膜以及可由所述半透膜限定的核心，所述半透膜用于将物质渗透到所述核心或从所述核心向外渗透，其中所述非平面结构的特征将响应于通过所述半透膜的所述物质的渗透而改变；以及形成于所述衬底上的传感器，所述传感器用于响应于所述非平面结构对流体样本的暴露来获得测量结果；以及电路，用于基于所述测量结果来标识指示所述流体样本的特征的值。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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