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基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法
| 专利名称： | 基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法，包括：待测薄膜样品的微桥结构设计及制备；薄膜材料的拉曼谱峰随温度偏移系数标定；薄膜微桥待测区温度分布计算；利用仿真拟合分析提取薄膜的热导率。本发明解决了特定厚度的半导体薄膜材料热导率精确表征问题，提升了测试精度和降低了测试成本，满足半导体器件对厚度在百纳米到十微米之间薄膜材料热性能的研究需求，对提升器件热管理的技术开发有极大的指导意义。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 发明人： | 郭怀新;李忠辉;尹志军;陈堂胜 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810667559.8 |
| 公开号： | CN109060759A |
| 代理机构： | 南京理工大学专利中心 32203 |
| 代理人： | 陈鹏 |
| 分类号： | G01N21/65(2006.01)I;G01N25/20(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N25;G01N21/65;G01N25/20 |
| 申请人地址： | 210016 江苏省南京市中山东路524号 |
| 主权项： | 1.一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，设计待测薄膜的试样测试区的微桥结构，并基于光刻、蒸发、等离子体刻蚀技术进行样品制备；步骤2，对待测薄膜材料开展特定温度下拉曼光谱测试，进行峰值‑温度偏移系数标定；步骤3，对待测薄膜的表面电极施加特定功率，测试微桥结构的中心区域拉曼谱峰值的偏移量；步骤4，依据标定的峰值‑温度偏移系数，计算微桥结构中心区域的温度分布；步骤5，进行待测薄膜热传递的热分布仿真，结合测试的温度分布，最终拟合提取薄膜的热导率。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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