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原文传递 一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片、其制备及应用
专利名称: 一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片、其制备及应用
摘要: 本发明属于红外光谱技术领域,更具体地,涉及一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片、其制备和应用。其以衰减全反射晶片为基底,在所述基底的表面设置有掺硼金刚石薄膜层,所述掺硼金刚石薄膜层的电阻率为10‑3~1Ω·cm;红外光以一定角度入射至所述衰减全反射晶片内表面,该内表面与所述掺硼金刚石薄膜层相邻,所述红外光在该内表面上发生折射和反射,折射后的红外光进入所述掺硼金刚石薄膜层,且在所述掺硼金刚石薄膜层内发生全发射。该晶片实现良好导电作用的同时又使得红外信号检测成为可能,可实现待测分子在BDD电极表面电化学过程中的原位电化学检测,在电化学、原位红外检测领域具有广阔的应用前景。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 湖北;42
申请人: 华中科技大学
发明人: 胡敬平;陈思静;帕乌刘斯·波贝丁斯卡斯;约翰·福德;肯·哈嫩;武龙胜;侯慧杰;刘冰川;杨家宽
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810906071.6
公开号: CN109060900A
代理机构: 华中科技大学专利中心 42201
代理人: 曹葆青;李智
分类号: G01N27/26(2006.01)I;G01N21/35(2014.01)I;C23C16/27(2006.01)I;G;C;G01;C23;G01N;C23C;G01N27;G01N21;C23C16;G01N27/26;G01N21/35;C23C16/27
申请人地址: 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
主权项: 1.一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片,其特征在于,其以衰减全反射晶片为基底,在所述基底的表面设置有掺硼金刚石薄膜层,所述掺硼金刚石薄膜层的电阻率为10‑3~1Ω·cm;红外光以一定角度入射至所述衰减全反射晶片内表面,该内表面与所述掺硼金刚石薄膜层相邻,所述红外光在该内表面上发生折射和反射,折射后的红外光进入所述掺硼金刚石薄膜层,且在所述掺硼金刚石薄膜层内发生全发射。
所属类别: 发明专利
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