专利名称: |
晶向角度校正方法 |
摘要: |
本发明提供的晶向角度校正方法,涉及晶向角度校正技术领域。其中,晶向角度校正方法包括:提供一待校正晶体,其中,该待校正晶体包括相对且平行的第一待校正表面和第二待校正表面;分别沿不平行于所述第一待校正表面和第二待校正表面的方向对所述待校正晶体进行两次切割,以得到包括第一校正表面和第二校正表面的校正后的晶体。通过上述方法,可以改善现有技术中存在的相位不匹配的问题。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
四川;51 |
申请人: |
中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
发明人: |
张帅;雷向阳;张剑锋;苏文虎;张利平;惠浩浩 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810966745.1 |
公开号: |
CN109080012A |
代理机构: |
北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 |
代理人: |
梁香美 |
分类号: |
B28D5/00(2006.01)I;B;B28;B28D;B28D5;B28D5/00 |
申请人地址: |
610000 四川省成都市武侯区科园一路3号 |
主权项: |
1.一种晶向角度校正方法,其特征在于,包括:提供一待校正晶体,其中,该待校正晶体包括相对且平行的第一待校正表面和第二待校正表面;分别沿不平行于所述第一待校正表面和第二待校正表面的方向对所述待校正晶体进行两次切割,以得到包括第一校正表面和第二校正表面的校正后的晶体。 |
所属类别: |
发明专利 |