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原文传递 <100>偏晶向硅片的制备方法

专利名称：	<100>偏晶向硅片的制备方法
摘要：	本发明公开了一种<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；具体的：选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，θ角大于0°小于45°；再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。本发明能制备晶向偏离<100>一定角度的偏晶向硅片，且降低了偏晶向硅片的工艺难度，提升了硅棒的利用率，还降低了偏晶向硅片的制造成本。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	江苏;32
申请人：	常州时创能源股份有限公司
发明人：	宫龙飞;曹育红;符黎明
专利状态：	有效
申请日期：	2021-12-20T00:00:00+0800
发布日期：	2022-03-18T00:00:00+0800
申请号：	CN202111560348.2
公开号：	CN114193640A
分类号：	B28D5/00;B;B28;B28D;B28D5;B28D5/00
申请人地址：	213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
主权项：	1.<100>偏晶向硅片的制备方法，包括：单晶硅圆棒开方制得单晶硅方棒，单晶硅方棒切片制得硅片；其特征在于：选择晶向为<100>的单晶硅圆棒；单晶硅圆棒开方过程中，先将硅棒棱线与晶托棱线一一对准的单晶硅圆棒顺时针或逆时针旋转θ角，再将单晶硅圆棒开方，制得与单晶硅圆棒同向延伸的单晶硅方棒；该单晶硅方棒包括一对端面以及四个侧面；单晶硅方棒切片过程中，切片方向平行于单晶硅方棒的某一侧面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。 2.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，所述θ角大于0°，且θ角小于45°。 3.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；再将硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。 4.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；再对硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；再将倒角处理后的硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。 5.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时垂直于硅块的端面和切片参考面对硅块进行切割；再将小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。 6.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时垂直于硅块的端面和切片参考面对硅块进行切割；再对小硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；再将倒角处理后的小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。 7.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时平行于硅块的端面对硅块进行切割；再将小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。 8.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅方棒切片过程中：先将单晶硅方棒截断成长方体或正方体硅块；该硅块包括一对端面以及四个侧面；硅块的一对端面为单晶硅方棒截断所形成的截断面；硅块的四个侧面为原单晶硅方棒四个侧面的一部分；以硅块的某一侧面为切片参考面；再将硅块等分或不等分分割成至少两个长方体小硅块，且分割时平行于硅块的端面对硅块进行切割；再对小硅块上与切片参考面垂直的四个边进行倒角处理；再将倒角处理后的小硅块切片，切片方向平行于切片参考面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。 9.根据权利要求5至8中任一项所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，将硅块等分为两个相同的长方体小硅块。 10.根据权利要求1所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，单晶硅圆棒开方有产生边皮料；边皮料包括矩形底面；对边皮料切片，切片方向平行于边皮料的矩形底面，制得硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。 11.根据权利要求10所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，边皮料切片过程中：先将边皮料切割成长方体或正方体硅块；该硅块包括底面，该底面为原边皮料矩形底面的一部分；再将硅块切片，切片方向平行于硅块的底面，制得矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。 12.根据权利要求10所述的<100>偏晶向硅片的制备方法，其特征在于，边皮料切片过程中：先将边皮料切割成长方体或正方体硅块；该硅块包括底面，该底面为原边皮料矩形底面的一部分；再对硅块上与底面垂直的四个边进行倒角处理；再将倒角处理后的硅块切片，切片方向平行于硅块的底面，制得四角为倒角的矩形硅片，该硅片的晶向为<100>偏θ角。
所属类别：	发明专利