专利名称: |
一种纳米金电极的制备方法 |
摘要: |
本发明提供一种纳米金电极的制备方法,属于电化学领域。该方法先通过水平激光拉制仪制备石英纳米管;然后将石英纳米管通过碳电极烧制设备制备成为碳纳米电极;最后将碳纳米电极通过电化学计时安培法在制备好的碳纳米电极的尖端上沉积金,得到纳米金电极。本发明是利用电化学修饰方法,将碳纳米电极的尖端进行特定的修饰,所得修饰后的电极利用电化学手段进行表征,来验证纳米电极制作的是否成功。利用这种电化学修饰在纳米碳电极尖端处沉积金的方法,操作简单,耗费时长少,效率高,可控尺寸,易于实现与重现。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
吉林;22 |
申请人: |
长春工业大学 |
发明人: |
单玉萍;杨丹;何劲;王哲;李语静;赵锐 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810954442.8 |
公开号: |
CN109085216A |
代理机构: |
长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 |
代理人: |
李外 |
分类号: |
G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/30 |
申请人地址: |
130000 吉林省长春市朝阳区延安大街2055号 |
主权项: |
1.一种纳米金电极的制备方法,其特征在于,包括步骤:A、通过水平激光拉制仪制备石英纳米管;B、将步骤A得到的石英纳米管通过碳电极烧制设备制备成为碳纳米电极;C、将步骤B得到的碳纳米电极通过电化学计时安培法在制备好的碳纳米电极的尖端上沉积金,得到纳米金电极。 |
所属类别: |
发明专利 |