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金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法
| 专利名称： | 金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法 |
| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，该方法包括：将金刚石样品进行抛光处理；将抛光处理后的金刚石样品进行氢等离子体处理。本发明通过对金刚石样品抛光处理，使金刚石样品表面平整，通过对金刚石样品进行氢等离子体处理，能够降低金刚石表面残余应力，并能形成稳定的导电性氢终端，从而制备出表面平整、残余应力低、导电性良好的金刚石电子背散射衍射分析样品，能够满足电子背散射衍射分析的需求。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 河北;13 |
| 申请人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 发明人： | 郭建超;蔚翠;冯志红;刘艳青;房玉龙;何泽召;刘庆彬;周闯杰;高学栋 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810963084.7 |
| 公开号： | CN108760781A |
| 代理机构： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 |
| 代理人： | 陆林生 |
| 分类号： | G01N23/20008(2018.01)I;G01N23/203(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/20008;G01N23/203 |
| 申请人地址： | 050051 河北省石家庄市新华区合作路113号 |
| 主权项： | 1.一种金刚石电子背散射衍射分析样品的制备方法，其特征在于，包括：将金刚石样品进行抛光处理；将抛光处理后的金刚石样品进行氢等离子体处理。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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