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一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品及其制备方法
| 专利名称： | 一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品及其制备方法，属于材料领域。制备方法包括：于160‑180℃、145‑155MPa的条件下将镶样粉镶嵌于待处理样品，然后去除镶嵌镶样粉后的样品的表面应变层，以碳膜作为导电膜喷涂导电层。上述制备方法简单、快捷、可靠，可有效保证样品平整不碎裂、与基体结合度高、导电且能有效消除应变层，从而实现较高的电子背散射衍射标定率。制备而得的柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品平整不碎裂、与基体结合度高、导电且无表面应变层。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 广东省新材料研究所 |
| 发明人： | 叶云;刘敏;况敏;黄健;朱晖朝;黄仁忠;陈焕涛;邓子谦 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810578288.9 |
| 公开号： | CN108760782A |
| 代理机构： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 |
| 代理人： | 宋南 |
| 分类号： | G01N23/203(2006.01)I;G01N23/2005(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23;G01N23/203;G01N23/2005 |
| 申请人地址： | 510000 广东省广州市天河区长兴路363号 |
| 主权项： | 1.一种柱状晶氧化锆涂层的电子背散射衍射样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：于160‑180℃、145‑155MPa的条件下将镶样粉镶嵌于待处理样品，然后去除镶嵌所述镶样粉后的样品的表面应变层，以碳膜作为导电膜喷涂导电层；优选地，镶嵌是于170℃、150MPa的条件下进行4‑5min；优选地，所述镶样粉包括碳导电粉。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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