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一种快速检测氧氟沙星的分子印迹聚合物修饰电极的制备方法
| 专利名称： | 一种快速检测氧氟沙星的分子印迹聚合物修饰电极的制备方法 |
| 摘要： | 一种快速检测氧氟沙星的分子印迹聚合物修饰电极的制备方法，属于分析化学和检测领域，所述制备方法按以下步骤进行：（1）多壁炭纳米管的纯化；（2）制备氧氟沙星分子印迹碳纳米管材料；（3）将制备的分子印迹聚合物用甲醇‑乙酸混合溶液超声清洗；（4）将制备的氧氟沙星分子印迹聚合物溶解到N,N‑二甲基酰胺中；（5）制备修饰电极；（6）修饰电极检测条件优化；（7）修饰电极的线性范围和检测限的确定。该方法通过利用表面分子印迹技术，在碳纳米管表面制备了纳米级厚度的分子印迹聚合物，该聚合物保持了碳纳米管的优良电子特性和大比表面积，具有对模板分子的选择性识别特性，作为电极的修饰材料可实现模板分子的选择性检测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 辽宁;21 |
| 申请人： | 孙大明 |
| 发明人： | 孙大明 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810626466.0 |
| 公开号： | CN108760849A |
| 代理机构： | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 |
| 代理人： | 刘蕾施 |
| 分类号： | G01N27/30(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27;G01N27/30 |
| 申请人地址： | 116023 辽宁省大连市沙河口区海月街18号 |
| 主权项： | 1.一种快速检测氧氟沙星的分子印迹聚合物修饰电极的制备方法，其特征在于，所述制备方法按以下步骤进行：（1）多壁炭纳米管的纯化：将多壁碳纳米管MWCNTs，用硝酸溶液超声纯化处理，然后用去离子水彻底清洗混合物几次，直至滤液的pH达到中性，得到纯净的MWCNTs；（2）制备氧氟沙星分子印迹碳纳米管材料：将步骤（1）纯化后的碳纳米管与十六烷基三甲基溴化铵CTAB溶解于水中，将混合溶液超声处理，得到溶液（A）；将氧氟沙星和氢氧化钠加入到溶液（A）中，超声处理后得到溶液（B）；将溶液（B）在油浴中加热到60℃，25 min后，其中加入正硅酸乙酯TEOS溶液，混合后继续60℃保持约12小时，不搅拌；将生成的聚合物用无水乙醇彻底清洗，以去除表面活性剂，最后用红外快速干燥，得到氧氟沙星分子印迹碳纳米管材料MIPMWCNTs；（3）将步骤（2）制备的分子印迹聚合物用甲醇‑乙酸混合溶液，其中v/v = 9:1，超声清洗，以去除模板分子，室温干燥；（4）将步骤（3）制备的氧氟沙星分子印迹聚合物溶解到N,N‑二甲基酰胺中，超声使之充分的分散；（5）修饰电极的制备：将步骤（4）配制好的溶液，滴涂到处理好的玻碳电极上，在红外快速干燥箱内晾干，并用循环伏安扫描C‑V进行电化学性能表征；（6）修饰电极检测条件优化：对（5）制备的修饰电极的检测条件进行优化；（7）修饰电极的线性范围和检测限的确定。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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