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一种用于诺氟沙星分子印迹电化学传感器的修饰电极及其制备方法
| 专利名称： | 一种用于诺氟沙星分子印迹电化学传感器的修饰电极及其制备方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于诺氟沙星分子印迹电化学传感器的修饰电极及其制备方法。采用诺氟沙星为模板分子、甲基丙烯酸为功能单体，乙二醇二甲基丙烯酸酯为交联剂，通过热聚合法制备三维网络的多壁碳纳米管表面嫁接分子印迹聚合物MWCNTs‑MIP纳米修饰材料，并将其修饰到基底电极表面。所述三维网络多壁碳纳米管表面嫁接分子印迹聚合物MWCNTs‑MIP纳米修饰材料制备电极具有孔隙度高、比表面积大、导电能力强和生物相容性好的优点。将所述修饰电极用于电化学传感器，对诺氟沙星分子具有良好的检测响应，其线性范围为0.003‑0.391μmol/L和0.391‑3.125μmol/L，检测下限为1.58nmol/L。可应用于胶囊制剂和血浆样品中诺氟沙星的含量检测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 广东;44 |
| 申请人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 发明人： | 水玲玲;刘振平;金名亮 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811378610.X |
| 公开号： | CN109270135A |
| 代理机构： | 天津市尚文知识产权代理有限公司 12222 |
| 代理人： | 高文迪 |
| 分类号： | G01N27/26(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 526060 广东省肇庆市高新区北江大道18号富民大厦3-304 |
| 主权项： | 1.一种具有三维网络的多壁碳纳米管表面嫁接分子印迹聚合物MWCNTs‑MIP修饰电极，由基底电极和修饰在基底电极上的MWCNTs‑MIP纳米材料组成，其特征在于，通过热聚合法制备多壁碳纳米管表面嫁接分子印迹聚合物MWCNTs‑MIP纳米材料，然后通过索氏提取方法洗脱模板分子诺氟沙星，将洗脱模板分子后的纳米材料修饰到基底电极表面即得所述具有三维网络的多壁碳纳米管表面嫁接分子印迹聚合物MWCNTs‑MIP修饰电极。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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