原文传递
表面等离子增强荧光传感器及折射率变化测量方法
| 专利名称： | 表面等离子增强荧光传感器及折射率变化测量方法 |
| 摘要： | 本发明公开一种表面等离子增强荧光传感器及其测量方法，表面等离子增强荧光传感器包括激光器、偏振片、透镜、棱镜、表面等离子增强荧光传感芯片、可调电压输出装置、探头和样品层；表面等离子增强荧光传感芯片依次包括玻璃基底、WCSPR器件、缓冲层和样品池；WCSPR器件包括上金属层、折射率调节介质层和下金属层；样品池设置于缓冲层的下表面处，其与缓冲层的下表面之间设有间隙；样品池中的样品层折射率为1.33。本发明通过外场调节折射率改变介质层或组合的折射率可以实现表面等离子波在缓冲层中的电场分布，从而实现检测介质层内电场分布以及局域场增强系数的调节。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 湖南;43 |
| 申请人： | 长沙学院 |
| 发明人： | 汪之又;朱培栋;陈英;黄小青 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810912982.X |
| 公开号： | CN108776126A |
| 代理机构： | 安化县梅山专利事务所 43005 |
| 代理人： | 夏赞希 |
| 分类号： | G01N21/64(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/64 |
| 申请人地址： | 410000 湖南省长沙市开福区洪山路98号 |
| 主权项： | 1.表面等离子增强荧光传感器，其特征在于，其包括激光器、偏振片、透镜、棱镜、表面等离子增强荧光传感芯片、可调电压输出装置、探头和样品层；表面等离子增强荧光传感芯片依次包括玻璃基底、WCSPR器件、缓冲层和样品池；WCSPR器件包括上金属层、折射率调节介质层和下金属层；样品池设置于缓冲层的下表面处，其与缓冲层的下表面之间设有间隙；样品池中的样品层折射率为1.33。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
检索历史
应用推荐
