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原文传递一种表面等离子增强荧光成像传感器及其测量方法

专利名称：	一种表面等离子增强荧光成像传感器及其测量方法
摘要：	本发明公开了传感器及传感技术领域的一种表面等离子增强荧光成像传感器及其测量方法，包括：棱镜；玻璃基底，所述玻璃基底安装在所述棱镜的底部；上金属包被层，所述上金属包被层安装在所述玻璃基底的底部；波导介质层，所述波导介质层安装在所述上金属包被层的底部；下金属包被层，所述下金属包被层安装在所述波导介质层的底部；折射率匹配介质层，样品池，本发明由于波导模式和LRSPR均可实现高比例的入射光能量耦合，两种模式的结合进一步提高了入射光耦合进入倏逝波的能量，从而在传统LRSPR的基础上进一步提高了金属下包被层‑折射率匹配介质层界面的场增强系数以及WCLRSPEF信号的强度。
专利类型：	发明专利
申请人：	长沙学院
发明人：	汪之又;刘安玲;邹莹畅;陈英;李明亮
专利状态：	有效
申请日期：	1900-01-20T16:00:00+0805
发布日期：	1900-01-20T10:00:00+0805
申请号：	CN201911300088.8
公开号：	CN110987889A
代理机构：	安化县梅山专利事务所
代理人：	潘访华
分类号：	G01N21/64;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/64
申请人地址：	410000 湖南省长沙市开福区洪山路98号
主权项：	1.一种表面等离子增强荧光成像传感器，其特征在于：包括：棱镜(1)；玻璃基底(2)，所述玻璃基底(2)安装在所述棱镜(1)的底部；上金属包被层(3)，所述上金属包被层(3)安装在所述玻璃基底(2)的底部；波导介质层(4)，所述波导介质层(4)安装在所述上金属包被层(3)的底部；下金属包被层(5)，所述下金属包被层(5)安装在所述波导介质层(4)的底部；折射率匹配介质层(6)，所述折射率匹配介质层(6)安装在所述下金属包被层(5)的底部；样品池(7)，所述样品池(7)安装在所述折射率匹配介质层(6)的底部。 2.根据权利要求1所述的一种表面等离子增强荧光成像传感器，其特征在于：所述棱镜(1)的折射率为1.7761@980nm。 3.根据权利要求1所述的一种表面等离子增强荧光成像传感器，其特征在于：所述玻璃基底(2)为ZF3玻璃基底。 4.根据权利要求1所述的一种表面等离子增强荧光成像传感器，其特征在于：所述上金属包被层(3)的厚度为30nm，折射率为0.04+6.9624i@980nm。 5.根据权利要求1所述的一种表面等离子增强荧光成像传感器，其特征在于：所述下金属包被层(5)的厚度为30nm，折射率为0.04+6.9624i@980nm 。 6.根据权利要求1所述的一种表面等离子增强荧光成像传感器，其特征在于：所述波导介质层(4)采用特氟龙制成厚度为3μm，折射率为1.35@980nm。 7.根据权利要求1所述的一种表面等离子增强荧光成像传感器，其特征在于：所述折射率匹配介质层(6)采用特氟龙，折射率为1.35@980nm，厚度为200nm。 8.一种如权利要求1所述的表面等离子增强荧光成像传感器的测量方法，其特征在于：具体包括如下步骤： S1：材料：第一准直器(8)、激光器(9)、偏振片(10)、透镜(11)、单元光电探测器(12)、第二准直器(13)、滤光片(14)、聚焦透镜(15)、光电倍增管(16)、前置放大器(17)和计算机(18)； S2：安装连接：将所述第一准直器(8)安装到所述样品池(7)的底部，通过单模光纤将所述第一准直器(8)和第二准直器(13)，所述单元光电探测器(12)通过数据线与所述计算机(18)，所述前置放大器(17)通过数据线与所述计算机(18)连接。 S3：信号采集：所述激光器(9)输出光束依次经过所述偏振片(10)和所述透镜(11)准直后入射所述棱镜(1)与所述玻璃基底(2)的界面，并在此界面反射进入所述单元光电探测器(12)，所述单元光电探测器(12)的信号输入到所述计算机(18)内，样品池(7)底部与第一准直器(8)接触，用于收集氟化钇钠单纳米粒子层发射荧光，收集得到的荧光信号经单模光纤传递至第二准直器(13)； S4：信号输出：收集得到的荧光信号经单模光纤传递至第二准直器(13)后，经滤光片(14)和聚焦透镜(15)聚焦后入射光电倍增管(16)，采集的信号经前置放大器(17)放大后由计算机(18)采集。
所属类别：	发明专利