专利名称: |
一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法 |
摘要: |
本发明提供一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法,具体地,所述制备方法包括:采用椭偏分析仪测试样品A,得到样品A的Ψ(A)‑λ曲线、采用椭偏分析仪测试样品B,得到样品B的Ψ(B)‑λ曲线;基于第一性原理,得到样品A富硼层主要成分的光学性质,并导出富硼层不同波段对应的折射率和吸光系数曲线、结合椭偏的数值分析,求解得到样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数、样品A富硼层富硼层的厚度、折射率和消光系数带入样品B的Ψ(B)‑λ曲线,通过拟合分析得到样品B硼硅玻璃层的厚度、折射率和消光系数。本发明具有快速、无损、准确测量的特点。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
浙江;33 |
申请人: |
中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
发明人: |
曾俞衡;叶继春;廖明墩;王丹;闫宝杰;杨熹;高平奇 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201810638142.9 |
公开号: |
CN108801931A |
代理机构: |
上海一平知识产权代理有限公司 31266 |
代理人: |
崔佳佳;徐迅 |
分类号: |
G01N21/21(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/21 |
申请人地址: |
315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号 |
主权项: |
1.一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法,其特征在于,所述椭偏测试方法包括步骤:(a)采用椭偏分析仪测试样品A,得到样品A的Ψ(A)‑λ曲线、采用椭偏分析仪测试样品B,得到样品B的Ψ(B)‑λ曲线;(b)基于第一性原理密度泛函方法,得到样品A富硼层中,SiB6晶体的光学性质,并导出富硼层不同波段对应的折射率和吸光系数曲线、结合椭偏的数值分析,求解得到样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数;(c)将样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数带入样品B的Ψ(B)‑λ曲线,通过拟合分析得到样品B硼硅玻璃层的厚度、折射率和消光系数。 |
所属类别: |
发明专利 |