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原文传递 一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法
专利名称: 一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法
摘要: 本发明提供一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法,具体地,所述制备方法包括:采用椭偏分析仪测试样品A,得到样品A的Ψ(A)‑λ曲线、采用椭偏分析仪测试样品B,得到样品B的Ψ(B)‑λ曲线;基于第一性原理,得到样品A富硼层主要成分的光学性质,并导出富硼层不同波段对应的折射率和吸光系数曲线、结合椭偏的数值分析,求解得到样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数、样品A富硼层富硼层的厚度、折射率和消光系数带入样品B的Ψ(B)‑λ曲线,通过拟合分析得到样品B硼硅玻璃层的厚度、折射率和消光系数。本发明具有快速、无损、准确测量的特点。
专利类型: 发明专利
国家地区组织代码: 浙江;33
申请人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
发明人: 曾俞衡;叶继春;廖明墩;王丹;闫宝杰;杨熹;高平奇
专利状态: 有效
发布日期: 2019-01-01T00:00:00+0800
申请号: CN201810638142.9
公开号: CN108801931A
代理机构: 上海一平知识产权代理有限公司 31266
代理人: 崔佳佳;徐迅
分类号: G01N21/21(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N21;G01N21/21
申请人地址: 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大道519号
主权项: 1.一种富硼层和硼硅玻璃层的快速无损椭偏测试方法,其特征在于,所述椭偏测试方法包括步骤:(a)采用椭偏分析仪测试样品A,得到样品A的Ψ(A)‑λ曲线、采用椭偏分析仪测试样品B,得到样品B的Ψ(B)‑λ曲线;(b)基于第一性原理密度泛函方法,得到样品A富硼层中,SiB6晶体的光学性质,并导出富硼层不同波段对应的折射率和吸光系数曲线、结合椭偏的数值分析,求解得到样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数;(c)将样品A富硼层的厚度、折射率和消光系数带入样品B的Ψ(B)‑λ曲线,通过拟合分析得到样品B硼硅玻璃层的厚度、折射率和消光系数。
所属类别: 发明专利
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