专利名称: |
具有改进的速度、自动化和可靠性的断层摄影术样品制备系统和方法 |
摘要: |
本申请涉及具有改进的速度、自动化和可靠性的断层摄影术样品制备系统和方法,具体公开了使用等离子体FIB上的创新研磨策略来创建用于x射线断层摄影术或其它断层摄影术扫描的样品柱。在方法、系统和可执行以执行本文中的策略的程序产品中提供该策略。研磨策略创建样品柱周围的不对称熔坑,并且提供单次切割切出过程。各种实施例可以包括根据像素坐标连同波束扫描和熔坑几何形状的优化来调谐离子剂量,从而大幅减少制备时间并且显著改进总体工作流效率。提供了具有新月形状和经优化的停留时间值的新颖切出研磨图案。 |
专利类型: |
发明专利 |
国家地区组织代码: |
美国;US |
申请人: |
FEI 公司 |
发明人: |
G.德尔皮;G.奥多伊特;L.F.T.克瓦克曼;C.鲁伊 |
专利状态: |
有效 |
发布日期: |
2019-01-01T00:00:00+0800 |
申请号: |
CN201710934117.0 |
公开号: |
CN108020449A |
代理机构: |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人: |
王健;杜荔南 |
分类号: |
G01N1/28(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N1;G01N1/28 |
申请人地址: |
美国俄勒冈州 |
主权项: |
一种用于从样品衬底创建断层摄影术样品的方法,包括:(a)标识包含感兴趣的区的衬底的底层目标体积和目标区域;(b)基于目标区域和期望的样品柱高度和宽度而创建研磨图案;(c)利用聚焦离子束(FIB)研磨不对称地位于目标区域周围的熔坑以形成包含目标体积的样品柱,(i)熔坑足够大以允许处于从竖直(关于样品柱取向)的期望角度处的单次FIB切割,从而在熔坑内穿过并且从衬底切出样品柱,(ii)熔坑在样品柱的切割侧上具有至少期望的样品柱高度的第一深度和与切割侧相对的第二、较大深度,第二深度足够大以容纳单次FIB切割的相对端,从而留下在单次FIB切割之后分离的样品柱,(iii)熔坑具有样品柱与切割侧上的熔坑边缘之间的第一间隙,以及与切割侧相对的大幅小于第一间隙的第二间隙;(d)将探针的探针尖附连到样品柱;(e)在期望的角度处利用单次FIB切割切出柱;以及(f)使用探针将样品柱移动到样品支撑物。 |
所属类别: |
发明专利 |