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基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器及其制备方法和应用
| 专利名称： | 基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器及其制备方法和应用 |
| 摘要： | 本发明公开一种基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器，包括CdZnTeS‑Ab2、非特异性结合位点被封闭的Fe3O4@SiO2‑Ab1以及分别与CdZnTeS‑Ab2和Fe3O4@SiO2‑Ab1通过抗原‑抗体间的相互作用连接的抗原；CdZnTeS‑Ab2为CdZnTeS量子点标记的二抗；Fe3O4@SiO2‑Ab1为表面修饰有一抗的Fe3O4@SiO2。本发明还提供上述电化学发光免疫传感器的制备方法和应用。本发明基于抗原与抗体之间的相互作用构建电化学发光免疫传感器，大大提高了检测的特异性，检测速度快、灵敏度高、特异性好、检测限低、可检测的线性范围宽、操作简单，并且能够实现可视化检测。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 东南大学 |
| 发明人： | 丁收年;梁秀丽;韩亭亭;朱红允;武锡锦;左家莹;刘金霞;闫其报;温雪飞 |
| 专利状态： | 有效 |
| 发布日期： | 2019-01-01T00:00:00+0800 |
| 申请号： | CN201810066547.X |
| 公开号： | CN108226461A |
| 代理机构： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 |
| 代理人： | 王艳 |
| 分类号： | G01N33/53(2006.01)I;G01N27/48(2006.01)I;G01N21/76(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N33;G01N27;G01N21;G01N33/53;G01N27/48;G01N21/76 |
| 申请人地址： | 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 |
| 主权项： | 1.一种基于CdZnTeS量子点的电化学发光免疫传感器，其特征在于，所述电化学发光免疫传感器包括CdZnTeS‑Ab2、非特异性结合位点被封闭的Fe3O4@SiO2‑Ab1以及分别与CdZnTeS‑Ab2和Fe3O4@SiO2‑Ab1通过抗原‑抗体间的相互作用连接的抗原；所述CdZnTeS‑Ab2为CdZnTeS量子点标记的所述抗原对应的第二抗体；所述Fe3O4@SiO2‑Ab1为表面化学修饰有所述抗原对应的第一抗体的Fe3O4@SiO2，所述Fe3O4@SiO2为SiO2包覆的Fe3O4。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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