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一种基于CdSe量子点的赭曲霉素A免疫传感器的制备及其检测方法
| 专利名称： | 一种基于CdSe量子点的赭曲霉素A免疫传感器的制备及其检测方法 |
| 摘要： | 本发明涉及一种基于CdSe量子点的赭曲霉素A（OTA）免疫传感器的制备及其检测方法，属于免疫分析化学技术领域。本发明在玻碳电极表面层层组装羧基化碳纳米管和聚乙二醇，构筑高密度OTA抗原传感界面，合成CdSe量子点并制备CdSe量子点探针，采用间接竞争免疫分析原理，包被OTA抗原和OTA目标抗原竞争OTA抗体形成免疫复合物，将CdSe量子点探针与免疫复合物进行反应，电极表面键合的CdSe量子点，超声下溶出Cd 2+，溶出Cd 2+在铋膜上沉积，通过电化学测定Cd氧化峰电流值的大小达到检测OTA的目的。本发明有利于高灵敏在线检测OTA，样品不必提纯处理，简单快速，检测体系无需酶的使用，降低了检测成本。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 江苏;32 |
| 申请人： | 张迎阳 |
| 发明人： | 张静;张迎阳;刘钢桥 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201710650253.7 |
| 公开号： | CN109387553A |
| 代理机构： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 |
| 代理人： | 申绍中;郭栋梁 |
| 分类号： | G01N27/327(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27 |
| 申请人地址： | 215000 江苏省苏州市高新区竹园路209号 |
| 主权项： | 1.一种基于CdSe量子点的赭曲霉素A免疫传感器的制备方法，其特征在于包括碳纳米管修饰电极的制备，聚乙二醇的修饰，包被OTA抗原的修饰；（1）碳纳米管修饰电极的制备：a、30 mg直径40‑60 nm碳纳米管分散在60 mL 30% HNO3，混合超声搅拌均匀；b、将步骤a得到的混合液140℃油浴回流24 h；c、过滤、洗涤到pH约为7.0左右，得到水溶性较好的羧基化碳纳米管；d、取5 μL 1 mg/mL步骤c制备的羧基化碳纳米管均匀滴涂在表面洁净的直径3 mm玻碳电极表面，室温下晾干，保存于4 oC备用；（2）聚乙二醇的修饰：在制备的工作电极表面滴涂5 μL 2 mg/mL 聚乙二醇，用于固定OTA，清洗晾干，保存于4 oC备用；（3）包被OTA抗原的修饰：在制备的工作电极表面滴加10 μL 400 μg/L OTA抗原，湿盒温育1小时后，用0.01 M pH 7.4 （0.05% Tween‑20）磷酸缓冲溶液（PBST）淋洗修饰电极，滴涂10 μL 5% 牛血清蛋白，封闭电极上的非特异性活性位点，保存于4 oC备用。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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