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表面电磁模式共振高光谱成像装置、成像方法及应用
| 专利名称： | 表面电磁模式共振高光谱成像装置、成像方法及应用 |
| 摘要： | 一种表面电磁模式共振高光谱成像装置、成像方法及应用，该装置包括耦合部件、光源、显微镜筒、高光谱相机和表面电磁模式共振芯片，表面电磁模式共振芯片包括表面电磁模式共振结构；由光源发出的宽带线偏振平行光从耦合部件的第一侧射入耦合部件后，在共振结构靠近耦合部件的表面发生全反射，产生的消逝场与共振结构作用而共振激励表面电磁模式，反射光携带着表面电磁模式共振结构的二维信息从耦合部件的第二侧射出后，穿过显微镜筒被高光谱相机接收，记录的反射光图像和光谱为表面电磁模式共振图像和共振光谱。本发明可进行图像和光谱同步测量，能实现表面电磁模式共振结构二维信息的定量检测，空间分辨率高。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 发明人： | 祁志美;高然;张萌颖;张璐璐 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811019202.5 |
| 公开号： | CN109115728A |
| 代理机构： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
| 代理人： | 喻颖 |
| 分类号： | G01N21/552(2014.01)I;G;G01;G01N;G01N21 |
| 申请人地址： | 100190 北京市海淀区北四环西路19号 |
| 主权项： | 1.一种表面电磁模式共振高光谱成像装置，其特征在于，所述表面电磁模式共振高光谱成像装置包括：耦合部件；光源，位于所述耦合部件的第一侧；显微镜筒，位于所述耦合部件的第二侧；高光谱相机，位于所述显微镜筒的远离耦合部件的一侧；以及表面电磁模式共振芯片，与所述耦合部件的上表面紧密接触，包括表面电磁模式共振结构；其中，由所述光源发出的宽带线偏振平行光从所述耦合部件的第一侧射入耦合部件后，在所述表面电磁模式共振结构的靠近耦合部件的表面发生全反射，全反射产生的消逝场与所述表面电磁模式共振结构作用而共振激励表面电磁模式，反射光携带着表面电磁模式共振结构的二维信息从所述耦合部件的第二侧射出后，穿过显微镜筒被所述高光谱相机接收，由该高光谱相机同步记录得到的反射光图像和反射光光谱即为表面电磁模式共振图像和与所述表面电磁模式共振图像相对应的表面电磁模式共振光谱。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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