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原文传递一种误差放大检测电路

专利名称：	一种误差放大检测电路
摘要：	本发明属于电子设备技术领域，具体的说涉及一种检测精度较高的误差放大检测电路。误差放大检测电路，包括PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10、第十一PMOS管MP11、第十二PMOS管MP12、第一NOMS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第十二NMOS管MN12、第十三NMOS管MN13、基准电压源和电容C_L；能有效提高检测设备的检测精度，减少检测设备误判的发生率。
专利类型：	发明专利
国家地区组织代码：	四川;51
申请人：	四川阔视科技有限公司
发明人：	董俊志;张承艾
专利状态：	有效
申请号：	CN201710452758.2
公开号：	CN109142442A
分类号：	G01N27/00(2006.01)I;G;G01;G01N;G01N27
申请人地址：	614000 四川省乐山市高新区南新路20号国检中心2号楼6楼
主权项：	1.一种误差放大检测电路，包括PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10、第十一PMOS管MP11、第十二PMOS管MP12、第一NOMS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第九NMOS管MN9、第十NMOS管MN10、第十一NMOS管MN11、第十二NMOS管MN12、第十三NMOS管MN13、基准电压源和电容CL；其中，第十PMOS管MP10的栅极接基准电压源，其源极接第十一PMOS管MP11的漏极和第九PMOS管MP9的源极，其漏极接第十三NMOS管MN13的漏极；第十三NMOS管MN13的漏极和栅极互连，其栅极接第十二NMOS管MN12的栅极，其源极接地GND；第十二NMOS管MN12的漏极接第九PMOS管MP9的漏极和第十一NMOS管MN11的漏极，其源极接地GND；第十一NMOS管MN11的漏极和栅极互连，其栅极接第十NMOS管MN10的栅极，其源极接地GND；第十NMOS管MN10的源极接地GND；第三PMOS管MP3的栅极接第十一PMOS管MP11的栅极和MP1的栅极；其漏极接第四NMOS管MN4的漏极；第一PMOS管MP1的栅极和漏极互连，其漏极接MN1的漏极；第一NOMS管MN1的栅极接检测电路的输出端，其源极接第二NMOS管MN2的源极和第三NMOS管MN3的漏极；第二NMOS管MN2的栅极接气体传感器的输出端，其漏极接第十NMOS管MN10的漏极和第二PMOS管MP2的漏极；第二PMOS管MP2的栅极和漏极互连，其栅极接第四PMOS管MP4的栅极；第四PMOS管MP4的栅极和漏极互连，其漏极接第五NMOS管MN5的漏极、第九PMOS管MP9的栅极和电容CL的一端；第五NMOS管MN5的栅极接第四NMOS管MN4的栅极，其源极接地GND；电容CL的另一端接地GND；第四NMOS管MN4的栅极和漏极互连；其源极接地GND；第三NMOS管MN3的栅极接镜像偏置电流IBIAS，其源极接地GND；第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第八PMOS管MP8、第十二PMOS管MP12、第十一PMOS管MP11的源极互连；第五PMOS管MP5的栅极接第四PMOS管MP4和第二PMOS管MP2的栅极，其漏极接第六NMOS管MN6的漏极；第六NMOS管MN6的漏极和栅极互连，其栅极接第七NMOS管MN7的栅极，其源极接地GND；第七NMOS管MN7的漏极接第八NMOS管MN8和第九NMOS管MN9的源极，其源极接地GND；第八NMOS管MN8的栅极接第九NMOS管MN9的栅极，其漏极接第七PMOS管MP7的漏极、第六PMOS管MP6的漏极和第十二PMOS管MP12的栅极；第九NMOS管MN9的栅极接基准电压源，其漏极接第八PMOS管MP8的漏极和第七PMOS管MP7的栅极；第八PMOS管MP8的漏极和栅极互连，其栅极接第七PMOS管MP7的栅极；第七PMOS管MP7的漏极接第六PMOS管MP6的栅极；第六PMOS管MP6的栅极和漏极互连，其漏极接第十二PMOS管MP12的栅极；第十二PMOS管MP12的漏极接第三PMOS管MP3的漏极和第四NMOS管MN4的漏极。
所属类别：	发明专利