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高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置和方法
| 专利名称： | 高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置和方法 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置和方法，测量装置中二次电子探测器设置在真空室内，包括由外向内依次设置、均大于等于3/4球体的球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极，且相互之间绝缘；二次电子探测器内还设置有样品台及其温度调节系统和角分布测量系统，电子枪所发出的电子束贯穿二次电子探测器入射至样品台。本装置可以测量高低温环境下金属材料及介质材料的二次电子发射系数、二次电子角分布特性、以及二次电子能谱分布，还可以测量不同入射角度下的二次电子特性参数，通过对介质材料的快速加热可以有效中和介质表面所累积的电荷，节约了测量时间；并且通过引入校验机制，保证了测量结果的准确性、可靠性。 |
| 专利类型： | 发明专利 |
| 国家地区组织代码： | 北京;11 |
| 申请人： | 中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心 |
| 发明人： | 王鹏程;刘瑜冬;刘盛画;孙晓阳 |
| 专利状态： | 有效 |
| 申请号： | CN201811197282.3 |
| 公开号： | CN109142409A |
| 代理机构： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 |
| 代理人： | 郭燕;彭家恩 |
| 分类号： | G01N23/2202(2018.01)I;G;G01;G01N;G01N23 |
| 申请人地址： | 100049 北京市石景山区玉泉路19号(乙)院 |
| 主权项： | 1.一种高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置,其特征在于，包括：真空室；电子枪；设置在真空室内的二次电子探测器，包括由外向内依次设置、均大于等于3/4球体的球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极，球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极相互之间绝缘；设置在二次电子探测器中部的样品台及其温度调节系统，包括用于加热样品的加热装置和用于冷却样品的冷却装置；设置在二次电子探测器内的角分布测量系统，包括可绕样品旋转的角分布探测器；电子枪所发出的电子束贯穿二次电子探测器入射至样品台；检测系统，包括用于测量流经样品电流的第一检测装置，用于测量流经球壳收集极电流的第二检测装置，和用于测量流经角分布探测器电流的第三检测装置；球壳栅极连接可调直流电源。 |
| 所属类别： | 发明专利 |
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