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原文传递高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置

专利名称：	高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置
摘要：	本实用新型公开了一种高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置，该测量装置中二次电子探测器设置在真空室内，包括由外向内依次设置、均大于等于3/4球体的球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极，且相互之间绝缘；二次电子探测器内还设置有样品台及其温度调节系统和角分布测量系统，电子枪所发出的电子束贯穿二次电子探测器入射至样品台。本装置可以测量高低温环境下金属材料及介质材料的二次电子发射系数、二次电子空间分布特性、以及二次电子能谱分布，还可以测量不同入射角度下的二次电子特性参数，通过对介质材料的快速加热可以有效中和介质表面所累积的电荷，节约了测量时间；并且通过引入校验机制，保证了测量结果的准确性、可靠性。
专利类型：	实用新型
国家地区组织代码：	北京;11
申请人：	中国科学院高能物理研究所
发明人：	王鹏程;刘瑜冬;刘盛画;孙晓阳
专利状态：	有效
申请日期：	2018-10-15T00:00:00+0800
发布日期：	2019-06-18T00:00:00+0800
申请号：	CN201821672485.9
公开号：	CN208999328U
代理机构：	深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人：	郭燕;彭家恩
分类号：	G01N23/2202(2018.01);G;G01;G01N;G01N23
申请人地址：	100049 北京市石景山区玉泉路19号(乙)院
主权项：	1.一种高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置,其特征在于，包括：真空室；电子枪；设置在真空室内的二次电子探测器，包括由外向内依次设置、均大于等于3/4球体的球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极，球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极相互之间绝缘；设置在二次电子探测器中部的样品台及其温度调节系统，包括用于加热样品的加热装置和用于冷却样品的冷却装置；设置在二次电子探测器内的角分布测量系统，包括可绕样品旋转的角分布探测器；电子枪所发出的电子束贯穿二次电子探测器入射至样品台；检测系统，包括用于测量流经样品电流的第一检测装置，用于测量流经球壳收集极电流的第二检测装置，和用于测量流经角分布探测器电流的第三检测装置；球壳栅极连接可调直流电源。 2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，流经样品的电流经第一电阻由第一示波器测出；流经球壳收集极上的电流经第二电阻由第二示波器测出；流经角分布探测器的电流经第三电阻由第三示波器测出。 3.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述球壳收集极上设置有第一孔，所述球壳栅极上设置有第二孔，所述球壳接地极上设置有第三孔；所述电子枪发出的电子束依次穿过第一孔、第二孔和第三孔入射至二次电子探测器内部。 4.根据权利要求3所述的测量装置，其特征在于，所述球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极共球心，从所述球心向外投影，所述球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极重合的面积大于等于3/4球体。 5.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述样品台及其温度调节系统还包括用于驱动样品台沿其轴线旋转至待测角度的第一旋转装置。 6.根据权利要求5所述的测量装置，其特征在于，所述样品台包括从上到下依次设置的样品托、绝缘体和底座；所述样品托和底座通过绝缘体绝缘，所述加热装置设置在底座的内部，所述底座的内部还设置有测温元件；所述冷却装置包括冷却头和与冷却头连接的制冷机；所述冷却头和底座的底面配合，以导热。 7.根据权利要求6所述的测量装置，其特征在于，所述底座为球形底面结构，所述冷却头为球形凹面结构，所述冷却头和底座球面配合。 8.根据权利要求5所述的测量装置，其特征在于，所述加热装置和测温元件连接有控制器，所述控制器用于控制加热装置的升温，和/或用于控制测温元件对样品台温度的测量。 9.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述角分布测量系统还包括：用于安装角分布探测器的旋转轴，以及用于驱动角分布探测器沿所述旋转轴所在轴线旋转的第二旋转装置；所述旋转轴的轴线与样品所在轴线重合,且经过球壳收集极的球心；所述第二旋转装置驱动角分布探测器以第一方向或第二方向旋转，以使所述角分布探测器与样品形成夹角。 10.根据权利要求5所述的测量装置，其特征在于，所述角分布探测器包括安装在旋转轴上的支撑部，以及安装在支撑部上的测量部；所述测量部为具有预设半径和预设宽度的弧形片状结构；所述测量部的两端端部宽度方向上的中点与球心所形成的平面，经过样品台的中点，并垂直于样品台所在轴线经球心所形成的平面。
所属类别：	实用新型